Produkte > BSH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSH1404P31A2P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P31F1P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P31F1P | Schneider Electric | Description: MOTOR 140 IP65 KEYED INC BRK STR Packaging: Box Features: Brake, Key Voltage - Rated: 480VAC Size / Dimension: Square - 5.512" x 5.512" (140.00mm x 140.00mm) Function: Servomotor RPM: 4000 RPM Type: AC Motor Termination Style: Connector Power - Rated: 5kW Diameter - Shaft: 0.945" (24.00mm) Mounting Hole Spacing: 5.118" (130.00mm) Length - Shaft and Bearing: 1.969" (50.00mm) Torque - Rated (oz-in / mNm): 2691 / 19000 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P31F2P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P32A1P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P32A2P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P32F1P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH1404P32F2P | Schneider Electric | AC, DC & Servo Motors BSH MOTOR IEC 140MM 32,1 NM WITH KEY IP6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH18-Q | Panduit Corp | Description: CONN SPLICE 18-22 AWG CRIMP Termination: Crimp Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings Insulation: Fully Insulated Heat Shrink Wire Gauge: 18-22 AWG Color: Red Packaging: Bulk Number of Wire Entries: 2 | auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH18-Q | Panduit | Terminals BUTT SPLICE 18AWG | auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH18-QY | Panduit | Terminals BUTT SPLICE 18AWG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201 | PHILIPS | 09+ | auf Bestellung 2818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201 T/R | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE7 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 Produktcode: 116680
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | MOSFETs BSH201/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NXP | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 28417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NXP | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 189000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A Power dissipation: 0.17W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 113891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 28417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | NXP/Nexperia/We-En | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мA, Ptot, Вт = 0,417, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48, Qg, нКл = 3 @ 10 В, Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH201,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202 | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 14529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia | MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 10878 Stücke: Lieferzeit 37-41 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 14529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH202,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203 T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE7 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | Nexperia | MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -300mA Power dissipation: 0.17W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 122730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH203,215 WJ. | NXP | Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH203/PJ8 | PHILIPS | 09+ | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH203215 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD- Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205 | NXP/PHILIPS | 09+ | auf Bestellung 81018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205 Produktcode: 103186
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Philips | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205,215 | NXP | Description: NXP - BSH205,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 121418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205,215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 12V 0.75A 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 72245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205,215 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 9.6 V | auf Bestellung 108280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205,215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 12V 0.75A 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 42797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205,215 | Nexperia | MOSFETs TAPE7 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205/PJ0 | PHILIPS | auf Bestellung 11295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSH205G2 | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2 | NXP | P-MOSFET 0.75A 12V 0.417W 0.9Ω BSH205 TBSH205 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 4395 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2 | Nexperia USA Inc. | Description: BSH205G2 - 20 V, P-CHANNEL TRENC Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2235 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR Produktcode: 205560
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2AR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2EAR | Nexperia | BSH205G2EAR | auf Bestellung 2046050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.17 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSH205G2R - MOSFET, P-KANAL, -20V, -2A, TO236AB tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||||
| BSH205G2R Produktcode: 143365
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSH205G2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2VL | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2VL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2VL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSH205G2VL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
