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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSP320S H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320S H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320S L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320S L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1424+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320S L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
994+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 994 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
994+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 994 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
auf Bestellung 15501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.09 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
994+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 994 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.36 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesBSP320SH6433XTMA1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
944+0.69 EUR
1023+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 944 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327Infineon technologies
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1385+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP320SL6327HTSA1 - BSP320 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1053+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1053 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
945+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 945 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PINF09+
auf Bestellung 38774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
121+1.93 EUR
166+1.3 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal 900mOhm -100V 980mA
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.51 EUR
100+1.09 EUR
500+1.08 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.75 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 980mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.689ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
121+1.93 EUR
166+1.3 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
787+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 787 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322P H6327Infineon
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
168+1.38 EUR
199+1.08 EUR
244+0.88 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
auf Bestellung 14527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.25 EUR
100+0.84 EUR
250+0.76 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.42 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
278+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
160+1.45 EUR
242+0.89 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.75 EUR
500+0.71 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.21 EUR
118+0.73 EUR
131+0.65 EUR
148+0.57 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324INF09+
auf Bestellung 36772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 26474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
985+0.67 EUR
1068+0.61 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.29 EUR
7000+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
7000+0.25 EUR
10000+0.24 EUR
25000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.55 EUR
200+1.07 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.39 EUR
95+0.9 EUR
145+0.58 EUR
200+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
167+1.39 EUR
198+1.08 EUR
243+0.88 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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BSP324L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP324L6327 - BSP324 - 0.17A, 400V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP324L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
709+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 709 Stücke
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BSP324L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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BSP33PhilipsТранзистори
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BSP33
Produktcode: 41120
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BSP33NexperiaArray
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BSP33 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
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BSP33 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
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BSP33,115PhilipsТранзистори
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BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
227+1.02 EUR
272+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BSP33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.15 EUR
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP33,115NXP/Nexperia/We-EnТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSP33,115NXPТранзистори
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BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
227+1.02 EUR
272+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP33,115NXP SEMICONDUTORSTRANS PNP 80V 1000MA SOT223
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP33-QXNexperia BSP33-Q/SOT223/SC-73
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BSP33TAonsemiBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP33TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP33TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP350INF09+
auf Bestellung 15258 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3505D-PO-B3MICRONAS2002
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3505D-PP-A2MICRONAS93+ PDIP
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP365INF09+
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP372INF09+
auf Bestellung 38774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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