Produkte > EPC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| EPC611-CSP24-001 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TIME-OF-FLIGHT Frames per Second: 8000.0 Active Pixel Array: 8H X 8V Pixel Size: 8µm x 8µm Voltage - Supply: 8V ~ 9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: 3D Time of Flight Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 10809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC611-CSP24-001 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TIME-OF-FLIGHT Type: 3D Time of Flight Packaging: Tape & Reel (TR) Frames per Second: 8000.0 Active Pixel Array: 8H X 8V Pixel Size: 8µm x 8µm Voltage - Supply: 8V ~ 9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC635-002 CC CHIP CARRIER | ESPROS Photonics AG | Description: EPC635-002 CC CHIP CARRIER Packaging: Box Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF) Utilized IC / Part: EPC635 Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories Part Status: Active Type: 3D Time of Flight Active Pixel Array: 160H x 60V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC635-CSP44-002 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 160X60 Frames per Second: 512.0 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18) Active Pixel Array: 160H x 60V Pixel Size: 20µm x 20µm Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: CCD Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC635-CSP44-002 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 160X60 Frames per Second: 512.0 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18) Active Pixel Array: 160H x 60V Pixel Size: 20µm x 20µm Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: CCD Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC635-CSP44-003 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 160X60 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA Type: CCD Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.98V Pixel Size: 20µm x 20µm Active Pixel Array: 160H x 60V Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18) Part Status: Active Frames per Second: 512.0 | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC635-CSP44-003 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 160X60 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA Type: CCD Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.98V Pixel Size: 20µm x 20µm Active Pixel Array: 160H x 60V Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18) Part Status: Active Frames per Second: 512.0 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC660 BC CHIP CARRIER – 320 X 240 | ESPROS Photonics AG | Description: 3D TOF IMAGER EPC660 BC 320 X 24 Packaging: Box | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC660 BC CHIP CARRIER-320 X 240 | ESPROS Photonics AG | Description: 3D TOF IMAGER EPC660 BC 320 X 24 Packaging: Box | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC660 CC CHIP CARRIER – 320 X 240 | ESPROS Photonics AG | Description: 3D TOF IMAGER EPC660 CC 320 X 24 Packaging: Box | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC660 CC CHIP CARRIER-320 X 240 | ESPROS Photonics AG | Description: 3D TOF IMAGER EPC660 CC 320 X 24 Packaging: Box | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC660 EVALUATION KIT EU & US | ESPROS Photonics AG | Description: EPC660 EVALUATION KIT EU & US Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories Part Status: Active Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories Utilized IC / Part: epc660 Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF) Voltage - Supply: 24V Interface: USB Packaging: Box Embedded: Yes, Other | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC660-007 CC CHIP CARRIER-001 | ESPROS Photonics AG | Description: EPC660-007 CC CHIP CARRIER-001 Packaging: Box Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF) Utilized IC / Part: epc660 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Type: 3D Time of Flight Active Pixel Array: 320H x 240V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC660-CSP68-007 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 320X240 | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC660-CSP68-011 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 320X240 Packaging: Tray Package / Case: 68-XFBGA, CSPBGA Type: CCD Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V Pixel Size: 20µm x 20µm Active Pixel Array: 320H x 240V Supplier Device Package: 68-CSP (9.7x8.66) Frames per Second: 158.0 | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC670 STARTER KIT | ESPROS Photonics AG | Description: EPC670 TOF CAMERA HAT+ WITH RPI5 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC670 TOF HAT+ | ESPROS Photonics AG | Description: EPC670 TOF CAMERA HAT+ FOR RPI5 | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC670-BC CHIP CARRIER | ESPROS Photonics AG | Description: 3D TOF IMAGER EPC670 ON BC CARRI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC670-CSP79-004 | ESPROS Photonics AG | Description: IC TOF IMAGER 320X240TOF IMAGE S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC700-CSP6-A | ESPROS Photonics AG | Description: IC OUTPUT DRIVER Part Status: Active Supplier Device Package: 6-CSP (1.39x0.97) Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 50mA Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V Voltage - Load: 9.6V ~ 30V Input Type: CMOS Output Configuration: Low Side Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Switch Type: General Purpose Interface: 1-Wire Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: N-Channel Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA Features: Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC7001BC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B Packaging: Bulk | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7001BSH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B Packaging: Bulk | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7002AC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A Packaging: Bulk | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7002ASH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A Packaging: Bulk | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7003AC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB Current - Test: 10 A Voltage - Rated: 100 V Configuration: N-Channel Voltage - Test: 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): +6V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-SMD Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaN HEMT Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7003ASH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB Voltage - Rated: 100 V Supplier Device Package: 4-SMD Current - Test: 10 A Voltage - Test: 50 V Technology: GaN HEMT Configuration: N-Channel Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7004BC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B Packaging: Tray Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaN HEMT FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V Configuration: N-Channel Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 30 A | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7007BC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaN HEMT FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V Configuration: N-Channel Voltage - Rated: 200 V Voltage - Test: 100 V Current - Test: 18 A | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7007BSH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 200V 18A 4UB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): +6V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: 4-SMD Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC701-CSP6-A | ESPROS Photonics AG | Description: IC OUTPUT DRIVER Supplier Device Package: 6-CSP (1.39x0.97) Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 50mA Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V Voltage - Load: 9.6V ~ 30V Input Type: CMOS Output Configuration: Low Side Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Switch Type: General Purpose Interface: 1-Wire Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: P-Channel Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA Features: Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC7011L7C | EPC Space, LLC | Description: IC GATE DRVR Packaging: Bulk | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7014UBC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +7V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V Packaging: Bulk | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7014UBSH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 60V 1A 4UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7018DC | EPC Space, LLC | Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: 4-SMD | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7018GC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB Packaging: Bulk Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaN HEMT FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Supplier Device Package: 5-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 40 A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7018GSH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 100V 90A 5UB Current - Test: 40 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 100 V Supplier Device Package: 5-SMD Technology: GaN HEMT Configuration: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-SMD, No Lead Packaging: Bulk | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7019DC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD Packaging: Bulk | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7019GC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +6V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-SMD Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaN HEMT Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-SMD, No Lead Packaging: Bulk Current - Test: 50 A Voltage - Test: 20 V Voltage - Rated: 40 V Configuration: N-Channel | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7020GC | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB Packaging: Bulk Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaN HEMT FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Supplier Device Package: 5-SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Voltage - Rated: 200 V Voltage - Test: 100 V Current - Test: 30 A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7020GSH | EPC Space, LLC | Description: GAN FET HEMT 200V 80A 5UB Packaging: Bulk Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Supplier Device Package: 5-SMD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7128SQC100-15 | ALTEPA | 06+ | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC7C001 | EPC Space, LLC | Description: EVAL BOARD FOR FBG04N30 Packaging: Box Function: Gate Driver Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: FBG04N30 Supplied Contents: Board(s) Secondary Attributes: On-Board Test Points Embedded: No Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7C002 | EPC Space, LLC | Description: BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE Packaging: Box Function: Gate Driver Type: Power Management Utilized IC / Part: FBG10N30 Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7C003 | EPC Space, LLC | Description: EVAL BOARD FOR FBG20N18 Contents: Board(s) Part Status: Active Embedded: No Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: FBG20N18 Type: Power Management Function: Gate Driver Packaging: Box Secondary Attributes: On-Board Test Points | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC7C005 | EPC Space, LLC | Description: EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50 Embedded: No Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: FBS-GAM02 Type: Power Management Function: Gate Driver Packaging: Box | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8002 | EPC | Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V | auf Bestellung 39432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8002 | EPC | GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8002 | EPC | Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8002ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8002TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8003ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8003TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8004 | EPC | Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8004 | EPC | Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 | auf Bestellung 8856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8004ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8004TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8005ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8005TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8007ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8007TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8008ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8008TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8009 | EPC | Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8009 | EPC | Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V | auf Bestellung 7688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8009ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8009TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8010 Produktcode: 186444
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
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| EPC8010 | EPC | GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8010 | EPC | Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 19103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8010 | EPC | Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8010ENGR | EPC | Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8010TENGR | EPC | Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC80C100 | ALTERA | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| EPC860PZP80D4 | MOT | 04+ | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8820ARC208-3 | ALTERA | 09+ . | auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8820ARC2083 | ALTERA | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| EPC8Q100 | ALTERA | QFP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100 | Intel | Description: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Programmable Type: In System Programmable Memory Size: 8MB Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 100-BQFP Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100 | ALTERA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| EPC8QC100 | Intel | Description: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Programmable Type: In System Programmable Memory Size: 8MB Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 100-BQFP Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC8QC100 | Intel / Altera | FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100/N | ALTERA | TQFP | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100DM | Intel | Description: IC CONFIG DEVICE Packaging: Tube Package / Case: 100-BQFP Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8MB Programmable Type: In System Programmable Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14) Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100N | ALTERA | 1013 QFP | auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100N | Intel / Altera | FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100N | Intel | Description: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP Packaging: Tray Package / Case: 100-BQFP Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8MB Programmable Type: In System Programmable Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14) Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QC100T | ALTERA 01+ QFP | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| EPC8QI100 | Intel | Description: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Programmable Type: In System Programmable Memory Size: 8MB Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 100-BQFP Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QI100 | ALTERA | 09+ | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QI100N | Intel | Description: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP Packaging: Tray Package / Case: 100-BQFP Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8MB Programmable Type: In System Programmable Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14) Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC8QI100N | ALTERA | 10= TSSOP 20 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC9001 | EPC | Description: EVAL BOARD FOR EPC2015 Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015 Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC9001C | EPC | Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN Contents: Board(s) Part Status: Active Embedded: No Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015C Type: Power Management Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC9002 | EPC | Description: EVAL BOARD FOR EPC2001 Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2001 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC9002C | EPC | Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C Packaging: Bulk Function: * Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC9003 | EPC | Description: EVAL BOARD FOR EPC2010 Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2010 Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC9003C | EPC | Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2010C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC9004 | EPC | Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2012 Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EPC9004C | EPC | Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2012C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC9005 | EPC | Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN Embedded: No Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability Utilized IC / Part: EPC2014 Contents: Board(s) Type: Power Management Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
