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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC8462onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.64 EUR
100+2.93 EUR
250+2.83 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.14 EUR
3000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.11 EUR
73+2.38 EUR
78+2.14 EUR
109+1.46 EUR
250+1.39 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
54+4.37 EUR
100+2.81 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.46 EUR
78+2.27 EUR
109+1.58 EUR
250+1.54 EUR
500+1.33 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
auf Bestellung 12468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554onsemiMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+1.64 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
auf Bestellung 14550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.25 EUR
100+1.59 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554onsemi / FairchildMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.65 EUR
280+0.62 EUR
281+0.58 EUR
296+0.54 EUR
303+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588ON Semiconductor / FairchildMOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
976+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 976 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588DConsemi / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8588DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.14 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 8224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.72 EUR
59+2.93 EUR
100+1.93 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+3.03 EUR
100+2.23 EUR
500+2 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.77 EUR
6000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.14 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.83 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1 EUR
185+0.95 EUR
187+0.93 EUR
194+0.87 EUR
250+0.86 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+3.25 EUR
100+2.45 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.78 EUR
6000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.34 EUR
50+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
63+3.74 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemiMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+1.67 EUR
6000+1.56 EUR
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FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+1.69 EUR
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FDMC86102ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
auf Bestellung 166 Stücke:
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FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.69 EUR
107+1.64 EUR
131+1.31 EUR
250+1.11 EUR
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FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1140 Stücke:
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366+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
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FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86102Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11032 Stücke:
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1+3.31 EUR
10+2.43 EUR
100+1.67 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.19 EUR
83+2.13 EUR
106+1.63 EUR
250+1.51 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
66+3.55 EUR
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2 EUR
106+1.62 EUR
107+1.55 EUR
131+1.21 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Case: MLP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.98 EUR
84+2.11 EUR
85+2.02 EUR
102+1.65 EUR
250+1.61 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
58+4.06 EUR
100+2.74 EUR
500+2.14 EUR
1500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.39 EUR
6000+1.3 EUR
9000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.98 EUR
84+2.06 EUR
85+1.95 EUR
102+1.56 EUR
250+1.49 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 17986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.76 EUR
100+1.58 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
auf Bestellung 8698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.55 EUR
50+2.71 EUR
100+2.44 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.25 EUR
6000+1.19 EUR
9000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.14 EUR
1500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.06 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
auf Bestellung 199808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86116LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 19W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.18 EUR
117+1.5 EUR
167+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
6000+0.63 EUR
9000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86116LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
92+2.53 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86116LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.8 EUR
100+1.25 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86116LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
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7+3.36 EUR
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FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86116LZonsemiMOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
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FDMC86116LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.82 EUR
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FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86116LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4955 Stücke:
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100+2.53 EUR
139+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMC86116LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
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93+1.92 EUR
250+1.74 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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FDMC86139P
Produktcode: 183309
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FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
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Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
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75+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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FDMC86139PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
67+3.5 EUR
100+2.65 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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FDMC86139Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 42851 Stücke:
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2+2.53 EUR
10+1.96 EUR
100+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
auf Bestellung 14461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.34 EUR
10+3.45 EUR
50+2.64 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDMC86139POn SemiconductorMOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Транзистори
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FDMC86139PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH