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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC8327Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 51913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.83 EUR
100+1.43 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LOn SemiconductorMOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.04 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 60A; 30W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 6633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
125+1.87 EUR
134+1.61 EUR
500+1.33 EUR
1500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LonsemiMOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 34231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.62 EUR
100+1 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+3.12 EUR
100+2.23 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.55 EUR
100+1.76 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40onsemi / FairchildMOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.68 EUR
100+1.94 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.3 EUR
6000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 658A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
54+4.37 EUR
100+2.81 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.64 EUR
100+2.93 EUR
250+2.83 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.14 EUR
3000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.05 EUR
73+2.32 EUR
78+2.09 EUR
109+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.42 EUR
78+2.23 EUR
109+1.55 EUR
250+1.5 EUR
500+1.3 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
auf Bestellung 12468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554onsemi / FairchildMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8554FAIRCHID
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FDMC8554onsemiMOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET
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1000+1.06 EUR
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FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14550 Stücke:
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7+3.33 EUR
10+2.25 EUR
100+1.59 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
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FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8554ON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET
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FDMC8554onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+1.14 EUR
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FDMC8554ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
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FDMC8588Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC8588ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R
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272+0.64 EUR
280+0.6 EUR
281+0.57 EUR
296+0.52 EUR
303+0.49 EUR
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FDMC8588ON Semiconductor / FairchildMOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4536 Stücke:
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FDMC8588AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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976+1.25 EUR
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FDMC8588DConsemi / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2200 Stücke:
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FDMC8588DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
auf Bestellung 532 Stücke:
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FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
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312+2.09 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
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FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 8224 Stücke:
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312+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
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FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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38+4.62 EUR
59+2.87 EUR
100+1.89 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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FDMC86012onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3043 Stücke:
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1+4.33 EUR
10+3.03 EUR
100+2.23 EUR
500+2 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.77 EUR
6000+1.39 EUR
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FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
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FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 312 Stücke
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FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC86012onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.19 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.54 EUR
6000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86012ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
185+0.93 EUR
187+0.9 EUR
194+0.84 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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FDMC86012ON Semiconductor
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.5 EUR
100+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+3.25 EUR
100+2.45 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.78 EUR
6000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102onsemiMOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.63 EUR
6000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
63+3.74 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
6000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.43 EUR
100+1.67 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
83+2.08 EUR
106+1.59 EUR
250+1.49 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
66+3.55 EUR
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Case: MLP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
106+1.58 EUR
107+1.51 EUR
131+1.19 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
107+1.61 EUR
131+1.29 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.36 EUR
6000+1.27 EUR
9000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.14 EUR
1500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
84+2.02 EUR
85+1.9 EUR
102+1.52 EUR
250+1.45 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 17986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.76 EUR
100+1.58 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.23 EUR
6000+1.17 EUR
9000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
58+4.06 EUR
100+2.74 EUR
500+2.14 EUR
1500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.06 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
84+2.06 EUR
85+1.99 EUR
102+1.62 EUR
250+1.57 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86106LZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
auf Bestellung 199808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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