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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDPC8012SonsemiMOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
10+4.77 EUR
100+3.5 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
auf Bestellung 2928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.92 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8013Sonsemi / FairchildMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8013SonsemiMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8013SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.86 EUR
96+1.76 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
155+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014ASON SemiconductorFDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.82 EUR
100+1.74 EUR
250+1.67 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
auf Bestellung 4744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+4.15 EUR
100+2.9 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8014SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016SONSEMIDescription: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 27471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60/100A
Power dissipation: 21/42W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8/1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25/67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Semiconductor structure: asymmetric
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.56 EUR
100+1.83 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.37 EUR
6000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016SON Semiconductor
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016SonsemiMOSFETs PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.61 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPE 0501 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Kind of Bearing: slide
Wheel width: 20mm
Height: 68mm
Wheel diameter: 50mm
Base dimensions: 60x60mm
Force: 40kg
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.77 EUR
54+1.58 EUR
59+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPE 0751 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Force: 60kg
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Height: 100mm
Wheel width: 25mm
Base dimensions: 60x60mm
Wheel diameter: 75mm
Kind of Bearing: slide
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.28 EUR
30+2.92 EUR
33+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPE 1251 1001COLSONCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 125mm; W: 27mm; H: 157mm; rigid; 120kg
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Kind of Bearing: slide
Wheel width: 27mm
Base dimensions: 76x76mm
Wheel diameter: 125mm
Height: 157mm
Force: 120kg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF 4001 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außendurchmesser: 2.2mm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.54 EUR
10+35.85 EUR
50+35.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF 4001 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
Mantelfarbe: Grau
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+275.21 EUR
5+226.9 EUR
10+182.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF 4002 EHFIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
Mantelfarbe: Grau
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+95.58 EUR
5+78.8 EUR
10+63.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF 4002 EH (100M)FIBRE DATADescription: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
Mantelfarbe: Grau
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+506.18 EUR
5+408.11 EUR
10+319.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06BONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 177137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06BFairchild SemiconductorDescription: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 177137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06B-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06B-F154onsemiMOSFETs FET 60V 3.5 MOHM TO220F
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.41 EUR
100+3.09 EUR
500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06B-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+4.36 EUR
100+3.05 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06B-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF035N06B_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
315+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1-F154onsemiMOSFET FET 60V 4.1 MOHM TO220F
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+3.01 EUR
100+2.4 EUR
250+2.31 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF041N06BL1-F154ON SemiconductorN Channel Power Trench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 m
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AON Semiconductor
auf Bestellung 10662 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 268A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 268A
Gate charge: 57nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.78 EUR
50+5.12 EUR
100+4.66 EUR
500+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
41+5.76 EUR
100+4.95 EUR
500+4.47 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
57+2.95 EUR
100+2.4 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.64 EUR
100+2.53 EUR
500+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
50+3.27 EUR
100+2.96 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
41+5.78 EUR
100+4.55 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
57+3.02 EUR
100+2.5 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10AonsemiMOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+3.36 EUR
100+3.01 EUR
500+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N50FTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N50FTonsemi / FairchildMOSFET UniFET 500V 10A
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+3.33 EUR
25+3.14 EUR
100+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
289+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N50UTonsemiMOSFETs 500V 8A N-Chan UniFET
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.27 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.63 EUR
5000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N50UTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N50UTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N60NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF10N60NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 640
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
39+6.1 EUR
100+4.8 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N60NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N60NZonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF10N60ZUTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N35Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N35ONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N35 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50FTonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+4.24 EUR
25+3.45 EUR
100+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50FTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50FTFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
auf Bestellung 24145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
272+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZonsemi / FairchildMOSFETs UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
61+3.81 EUR
100+2.78 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
50+2.4 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+1.93 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
218+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
191+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
50+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
36+2.42 EUR
40+2.13 EUR
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.62 EUR
282+0.61 EUR
285+0.6 EUR
286+0.57 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TonsemiMOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.01 EUR
100+2.75 EUR
500+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
281+0.6 EUR
282+0.57 EUR
285+0.55 EUR
286+0.52 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50UTonsemiMOSFETs 500V 10A N-Chan Ultra FRFET
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.61 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50UTONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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