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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJE521ON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521(Transistor)
Produktcode: 92551
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE5730
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730onsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Power - Max: 40 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GON05+06+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+1.61 EUR
100+1.51 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730G
Produktcode: 171586
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GON SemiconductorТранзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
133+1.75 EUR
139+1.55 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731onsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731A
Produktcode: 151453
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AOn SemiconductorPNP 1A 375V TO220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
107+1.61 EUR
200+1.56 EUR
400+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
50+1.55 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.37 EUR
148+1.14 EUR
250+1.02 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
129+1.81 EUR
141+1.52 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
auf Bestellung 4914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+1.55 EUR
100+1.18 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.38 EUR
147+1.17 EUR
250+1.07 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
123+1.89 EUR
128+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+1.12 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
184+0.94 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GOn SemiconductorPNP 1A 350V TO-220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.11 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.95 EUR
112+1.56 EUR
200+1.49 EUR
400+1.37 EUR
800+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5740
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5741
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
250+2.01 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+1.93 EUR
100+1.82 EUR
500+1.49 EUR
700+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
50+2.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
99+2.37 EUR
105+2.05 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
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MJE5742GON-SemiconductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
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MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
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MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJE5850ON04+
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MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
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MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5851onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
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MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5851GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
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MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5851G
Produktcode: 180290
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE5851GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
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MJE5852ON09+
auf Bestellung 12018 Stücke:
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MJE5852STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
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MJE5852STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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MJE5852
Produktcode: 103964
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE5852onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
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MJE5852On SemiconductorТранзистори
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MJE5852onsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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197+3.33 EUR
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MJE5852GOn SemiconductorPNP 8A 400V TO220AB Транзистори
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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61+2.88 EUR
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250+2.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+5.45 EUR
100+4.72 EUR
200+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE5852GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
auf Bestellung 2578 Stücke:
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1+7.91 EUR
10+4.02 EUR
100+3.69 EUR
400+3.19 EUR
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
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25+7.01 EUR
50+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
100+2.68 EUR
250+2.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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MJE5852GonsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
50+4.08 EUR
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MJE5852GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
47+5.03 EUR
100+4.2 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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MJE5852G
Produktcode: 115058
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE5852GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Current gain: 15
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.19 EUR
25+3.52 EUR
50+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.5 EUR
41+4.18 EUR
52+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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MJE6040
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE6043
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE6044
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE6353INTELQFP
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE700MOT2002 TO-126
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE700onsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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