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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF151Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
177+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF160IR/MOT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 142 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 142
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 142A 7.5mOhm 210nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1640PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1644GIR95+ N/A
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1704Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1704PbFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1740
Produktcode: 128896
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1744GIR02+ TO-220
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1830G
Produktcode: 116830
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902IRSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902TRIORSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902TRPBFIOR
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1905IR09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1910NA03+ TSOP8
auf Bestellung 22050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF19520G
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1K49092HARRYS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1S30P05SMRochester Electronics, LLCDescription: IRF1S30P05SM
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2001IR09+
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2001TRIR09+
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2002IR09+
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211International RectifierDescription: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
auf Bestellung 6346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
96+1.76 EUR
108+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.8 EUR
100+1.52 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
95+1.81 EUR
108+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211INFINEONDescription: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
63+3.74 EUR
123+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.1 EUR
16+10.98 EUR
25+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+11 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.76 EUR
13+19.24 EUR
15+15.12 EUR
50+14.16 EUR
100+13.2 EUR
250+10.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.27 EUR
14+12.57 EUR
25+10.88 EUR
100+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.51 EUR
13+13.46 EUR
50+12.22 EUR
100+10.53 EUR
200+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V
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IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IRF200P222Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
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10+16.4 EUR
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100+13.15 EUR
250+12.71 EUR
400+10.42 EUR
2800+10.03 EUR
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IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IRF200P223INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 601 Stücke:
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100+5.38 EUR
500+5.19 EUR
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IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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17+10.63 EUR
19+9.23 EUR
100+7.88 EUR
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IRF200P223Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IRF200P223Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
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10+12.13 EUR
25+9.87 EUR
100+8.51 EUR
400+6.64 EUR
1200+6.26 EUR
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IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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17+10.61 EUR
19+9.02 EUR
100+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRF200P223InfineonMOSFET N-Ch 200V 100A TO247AC Транзистори
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IRF200S234Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH_MOSFETS
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IRF200S234Infineon TechnologiesEnhancement N Channel MOSFET
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IRF200S234Infineon
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IRF200S234INFINEONDescription: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF200S234Infineon TechnologiesEnhancement N Channel MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF200S234Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF2085SIR03+
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IRF210IR/MOT
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IRF2101IOR01+ SOP
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IRF2102STRIR
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IRF2103SIR09+
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IRF2103STRPBFIR09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2104SIR
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IRF2108IOR01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
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IRF210BFAIRCHILID
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRF2110SIRFSOP
auf Bestellung 508 Stücke:
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IRF2113
Produktcode: 88829
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8542 39 90 00
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IRF2133STR
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRF21362JTR
auf Bestellung 500 Stücke:
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IRF214Harris CorporationDescription: IRF214
Packaging: Bulk
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IRF2171
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IRF220International RectifierDescription: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
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IRF220International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF220Infineon / IRMOSFETs
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IRF220International RectifierTO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори
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IRF2204IRF2204 Транзисторы Прочие
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IRF2204LIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2204LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+3 EUR
100+2.43 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.24 EUR
5000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2204PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 210
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
50+3 EUR
100+2.71 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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