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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори

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IRFB3207ZPBF

MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg

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10+	3.36 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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82+	2.09 EUR
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500+	1.75 EUR

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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3207ZPBF
Produktcode: 197879

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3207ZPBF

Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm

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35+	7.34 EUR
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IRFB3207ZPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 66 Stücke:

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23+	3.75 EUR
25+	3.44 EUR
28+	3.09 EUR
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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3207ZPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V

auf Bestellung 4976 Stücke:

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4+	6.91 EUR
10+	4.51 EUR
50+	3.47 EUR
100+	3.14 EUR
500+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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56+	3.03 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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194+	3.37 EUR
500+	3 EUR

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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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83+	2.12 EUR

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IRFB3207ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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194+	3.37 EUR
500+	3 EUR
1000+	2.7 EUR

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IRFB3207ZPBFXKMA1

IRFB3207ZPBFXKMA1

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231+	2.83 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.26 EUR
10000+	1.98 EUR

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IRFB3256

MOSFETs

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IRFB3256PBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 180 Stücke:

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1019 Stücke:

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219+	2.98 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.56 EUR

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IRFB3256PBF

International Rectifier

Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

167+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 167 Stücke

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IRFB3256PBF

International Rectifier HiRel Products

MOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 380 Stücke:

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219+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3256PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

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IRFB3256PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.98 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

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IRFB3306

N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRFB3306

09+ PLCC

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFB3306

N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRFB3306

Infineon / IR

MOSFETs

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

273+	2.39 EUR
500+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 273 Stücke

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

273+	2.39 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 273 Stücke

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IRFB3306GPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306GPBF

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFB3306GPBF

MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.38 EUR
10+	4.58 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.69 EUR

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

273+	2.39 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 273 Stücke

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IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

273+	2.39 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 273 Stücke

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IRFB3306GPBF

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Mindestbestellmenge: 308 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306GPBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1783 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

273+	2.39 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 273 Stücke

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IRFB3306GPBFXKMA1

IRFB3306GPBFXKMA1

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

345+	1.89 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 345 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 29635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.3 EUR
81+	2.08 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1.05 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306PBF

International Rectifier

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306PBF

MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

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IRFB3306PBF
Produktcode: 88656

2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4520/85
Montage: THT

auf Bestellung: 67 St.

67 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.21 EUR
10+	2.94 EUR

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IRFB3306PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	3.13 EUR
93+	1.81 EUR
103+	1.57 EUR
500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

343+	1.9 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 343 Stücke

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IRFB3306PBF

Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.52 EUR
50+	4.74 EUR
104+	2.07 EUR
500+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.76 EUR
66+	2.62 EUR
100+	2.48 EUR
250+	2.34 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.75 EUR
85+	1.98 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.88 EUR
103+	1.67 EUR
500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.77 EUR
85+	2.03 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

343+	1.9 EUR
500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 343 Stücke

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IRFB3306PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

auf Bestellung 4258 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.65 EUR
10+	2.99 EUR
50+	2.27 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.63 EUR

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IRFB3306PBF

Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 29634 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	2.15 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.21 EUR
3000+	1.19 EUR
5000+	1.07 EUR

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IRFB3306PBFXKMA1

IRFB3306PBFXKMA1

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IRFB3306PBFXKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

auf Bestellung 489 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.57 EUR
10+	2.93 EUR
50+	2.21 EUR
100+	1.99 EUR

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IRFB3306PBFXKMA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

auf Bestellung 1473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.48 EUR
2000+	1.31 EUR
5000+	1.21 EUR

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IRFB3306PBFXKMA1

IRFB3306PBFXKMA1

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IRFB3307

International Rectifier HiRel Products

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V

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Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 237 Stücke

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 9900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5.01 EUR
66+	2.58 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.39 EUR
2000+	1.32 EUR
5000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IRFB3307PBF

MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC

auf Bestellung 1161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.89 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.05 EUR
2000+	1.95 EUR

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 9896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5.01 EUR
65+	2.64 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.51 EUR
2000+	1.48 EUR
5000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 29391 Stücke:

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237+	2.76 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.2 EUR
10000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 237 Stücke

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3307PBF

IRFB3307PBF MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори

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IRFB3307PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 1254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.61 EUR
26+	3.3 EUR
28+	3.06 EUR
37+	2.31 EUR
44+	1.95 EUR
54+	1.59 EUR
100+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IRFB3307PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V

auf Bestellung 755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
50+	2.98 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.44 EUR
68+	2.52 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IRFB3307PBF

Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.41 EUR
69+	2.45 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IRFB3307PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFB3307Z

Infineon / IR

MOSFETs

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IRFB3307ZGPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3861 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3861 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.9 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

International Rectifier

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 8487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.95 EUR
1000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.62 EUR
51+	3.43 EUR
100+	3.24 EUR
250+	3.07 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

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IRFB3307ZPBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	3.39 EUR
27+	3.21 EUR
47+	1.82 EUR
54+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.83 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 206018 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.83 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.26 EUR
10000+	1.98 EUR
100000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF
Produktcode: 37782

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4750/79
Montage: THT

auf Bestellung: 31 St.

31 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	2.27 EUR
10+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 3861 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.89 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 8487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.95 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB33N15D

Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB33N15DHR

Infineon / IR

Infineon

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IRFB33N15DPBF

Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB33N15DPBF