Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IRFB3307PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC | auf Bestellung 1164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 14900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 14900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307Z | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3307ZPBF Produktcode: 37782
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79 JHGF: THT | auf Bestellung 35 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 206392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB33N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB33N15DHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB33N15DPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB33N15DPBF Produktcode: 49500
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB33N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 170 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3407Z | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3407ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3407ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3407ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3407ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3407ZPBF | Infineon | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB3407ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs N | auf Bestellung 837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3407ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3507 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3507PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3507PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 97A 8.8mOhm 88nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB3607 | Infineon | N-MOSFET HEXFET 80A 75V 140W 0.009ohm IRFB3607 TIRFB3607 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3607GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | auf Bestellung 4005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 13892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3607PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3607PBF Produktcode: 62331
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 75 Idd,A: 80 Rds(on), Ohm: 0.073 Ciss, pF/Qg, nC: 3070/56 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3607PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3607PBFXKMA1 | Infineon Technologies | HEXFET Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3607PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3806 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB3806 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg | auf Bestellung 4684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF Produktcode: 72842
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| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC | auf Bestellung 1656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF Produktcode: 76399
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 50872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 18524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 50879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 43 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 91 @ 10 В, Rds = 54 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 320W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB4019 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB4019 Produktcode: 25222
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| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 29050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF Produktcode: 171727
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V | auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 11660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 161 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |