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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
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IRFB3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
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IRFB3207
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
50+3.32 EUR
100+2.76 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.56 EUR
25+3.4 EUR
31+2.77 EUR
35+2.46 EUR
50+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
10+4.69 EUR
50+3.63 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBF
Produktcode: 180333
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
50+3.39 EUR
100+2.87 EUR
500+2.46 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.97 EUR
56+3.01 EUR
100+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
55+3.11 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
47+4.96 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207Z
Produktcode: 37831
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 V
Drain-Strom Id, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineonMOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.94 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.94 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZGPBFXKMA1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZGPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZGPBFXKMA1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.55 EUR
82+1.95 EUR
100+1.81 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.55 EUR
82+2.02 EUR
100+1.9 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
61+3.83 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
50+3.4 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineonTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBF
Produktcode: 197879
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.81 EUR
53+3.01 EUR
100+2.65 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+3.42 EUR
100+3 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.48 EUR
2000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.81 EUR
53+3.13 EUR
100+2.8 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3207ZPBFXKMA1
auf Bestellung 73000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.24 EUR
10000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3256Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3256PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3256PBFInternational RectifierDescription: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
167+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.94 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3256PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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IRFB3256PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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219+2.94 EUR
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IRFB3256PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
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IRFB3306IR09+ PLCC
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IRFB3306Infineon / IRMOSFETs
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IRFB3306InfineonN-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+2.51 EUR
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC
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1+5.49 EUR
10+4.84 EUR
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500+2.01 EUR
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.37 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
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IRFB3306GPBFInfineon
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3306GPBF - IRFB3306GPBF - TRENCH 40 100V
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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273+2.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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273+2.37 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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IRFB3306GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306GPBFXKMA1
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345+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
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IRFB3306PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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45+3.87 EUR
82+2.07 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.2 EUR
83+2.01 EUR
100+1.73 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.17 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.88 EUR
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IRFB3306PBF
Produktcode: 88656
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4520/85
Montage: THT
auf Bestellung: 62 St.
  • 62 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.21 EUR
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 527 Stücke:
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72+2.4 EUR
106+1.57 EUR
114+1.4 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.88 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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IRFB3306PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
70+3.34 EUR
102+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.93 EUR
50+2.23 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.81 EUR
84+1.99 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.74 EUR
66+2.59 EUR
100+2.45 EUR
250+2.32 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.33 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.63 EUR
114+1.49 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3306PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3.01 EUR
42+2.05 EUR
51+1.69 EUR
56+1.54 EUR
61+1.42 EUR
100+1.31 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.88 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.2 EUR
100+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.37 EUR
5000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB3306PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
94+2.49 EUR
107+2.01 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
50+2.18 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
10+3.8 EUR
50+2.92 EUR
100+2.63 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.95 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.93 EUR
66+2.53 EUR
67+2.42 EUR
100+1.74 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB3307PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
69+2.32 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.61 EUR
26+3.3 EUR
28+3.06 EUR
37+2.31 EUR
44+1.95 EUR
54+1.59 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB3307PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB3307PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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