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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
483+1.14 EUR
537+1.01 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 483 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
686+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4019PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.22 EUR
500+1 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020
Produktcode: 184884
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.87 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBF
Produktcode: 55927
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
verfügbar: 15 St.
  • 6 St. - stock Köln
  • 9 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.53 EUR
166+0.82 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
50+1.47 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+1.23 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.8 EUR
55+2.65 EUR
100+2.51 EUR
250+2.38 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
auf Bestellung 5017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+1.49 EUR
100+1.27 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInternational RectifierMOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+1.23 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
47+1.54 EUR
53+1.36 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.61 EUR
10+2.98 EUR
100+2.05 EUR
500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-CN CHIPNOBO TIRFB4110 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-ML MOSLEADER TIRFB4110 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+3.27 EUR
500+3.04 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+6.9 EUR
100+4.29 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.34 EUR
2000+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+3.27 EUR
500+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.11 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.11 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.68 EUR
10000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.06 EUR
50+2.91 EUR
100+2.53 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.56 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.06 EUR
72+2.01 EUR
100+1.85 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.79 EUR
41+1.74 EUR
46+1.59 EUR
50+1.49 EUR
100+1.42 EUR
250+1.33 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineonN-Channel 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 4382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
50+2.97 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 333 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
50+2.97 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110PBFXKMA1
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.43 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.7 EUR
100000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+2.55 EUR
100+2.32 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115InfineonN-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.5 EUR
10+8.54 EUR
100+7 EUR
500+5.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.09 EUR
26+2.8 EUR
28+2.62 EUR
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.55 EUR
53+2.74 EUR
100+2.32 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.11 EUR
66+2.15 EUR
100+1.86 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.43 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInternational RectifierHEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
JHGF: THT
auf Bestellung 56 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.2 EUR
10+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 3273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.13 EUR
66+2.21 EUR
100+1.94 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.15 EUR
50+2.99 EUR
100+2.82 EUR
250+2.68 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
50+2.96 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.1 EUR
10+2.55 EUR
100+2.31 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.81 EUR
2000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127International RectifierN-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBF
Produktcode: 37966
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.8 EUR
10+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.09 EUR
10+3.99 EUR
100+2.8 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.85 EUR
32+4.58 EUR
50+4.31 EUR
100+4.07 EUR
250+3.89 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
33+2.2 EUR
42+1.73 EUR
46+1.57 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.74 EUR
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100+2.25 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+3.01 EUR
100+2.36 EUR
500+2.2 EUR
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IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 173 Stücke:
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4+5.77 EUR
10+3.78 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
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10+4.01 EUR
100+2.82 EUR
500+2.31 EUR
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