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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4020PBFInternational RectifierMOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.03 EUR
50+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
95+2.46 EUR
123+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.33 EUR
47+1.83 EUR
53+1.62 EUR
72+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
107+1.58 EUR
122+1.33 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
59+2.93 EUR
100+2.77 EUR
250+2.63 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.06 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBF
Produktcode: 55927
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/18
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 107 St.
  • 107 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9086 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
102+1.68 EUR
118+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
102+1.64 EUR
118+1.37 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.52 EUR
116+1.49 EUR
128+1.32 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+2 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
50+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.3 EUR
122+1.92 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.55 EUR
100+2.44 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-CN CHIPNOBO TIRFB4110 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-ML MOSLEADER TIRFB4110 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.38 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+8.21 EUR
100+5.11 EUR
500+4.69 EUR
1000+3.97 EUR
2000+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.7 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.7 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
10000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.39 EUR
10000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.47 EUR
75+2.24 EUR
100+2.07 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 800 St.
  • 800 St. - erwartet 27.08.2026
1+5.4 EUR
10+4.83 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.19 EUR
69+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
47+5.01 EUR
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IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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45+3.94 EUR
72+2.39 EUR
73+2.32 EUR
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IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4110PBFInfineonN-Channel 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
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IRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
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IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1617 Stücke:
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42+4.2 EUR
69+2.44 EUR
100+2.23 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10673 Stücke:
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50+3.51 EUR
74+2.28 EUR
75+2.18 EUR
100+1.98 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFB4110PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
50+3.81 EUR
100+3.45 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
72+2.34 EUR
73+2.24 EUR
100+2 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.77 EUR
100+3.42 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110PBFXKMA1
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.31 EUR
10000+2.02 EUR
100000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
50+3.81 EUR
100+3.45 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4110PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
67+3.5 EUR
100+2.76 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115InfineonN-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.3 EUR
10+10.16 EUR
100+8.33 EUR
500+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.58 EUR
60+2.83 EUR
100+2.7 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.08 EUR
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.07 EUR
28+3.09 EUR
30+2.93 EUR
33+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.59 EUR
60+2.9 EUR
100+2.81 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.26 EUR
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.9 EUR
33+7.24 EUR
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.5 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.5 EUR
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 49 St.
  • 49 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+3.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInternational RectifierHEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
69+3.37 EUR
100+2.81 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+3.86 EUR
100+3.5 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.06 EUR
50+3.92 EUR
100+3.55 EUR
500+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127International RectifierN-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4127Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB4127PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.19 EUR
43+4.06 EUR
100+3.05 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.13 EUR
43+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 5498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+5.74 EUR
100+4.94 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.81 EUR
2000+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.77 EUR
32+5.45 EUR
50+5.13 EUR
100+4.84 EUR
250+4.63 EUR
500+4.43 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBF
Produktcode: 37966
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5380/100
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.33 EUR
10+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
100+3.12 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.49 EUR
29+8.21 EUR
100+5.63 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.42 EUR
10+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4127PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.13 EUR
43+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFB4127PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
44+5.3 EUR
100+3.43 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.42 EUR
10+6.25 EUR
50+4.88 EUR
100+4.44 EUR
500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
10+6.39 EUR
100+4.66 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.61 EUR
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IRFB4137Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF
Produktcode: 58576
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