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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.95 EUR
50+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127International RectifierN-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.15 EUR
43+4.02 EUR
100+3.02 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.77 EUR
32+5.45 EUR
50+5.13 EUR
100+4.84 EUR
250+4.63 EUR
500+4.43 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+4.82 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.2 EUR
43+3.97 EUR
100+2.93 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
38+6.25 EUR
100+5.52 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBF
Produktcode: 37966
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5380/100
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.33 EUR
10+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
44+5.3 EUR
100+3.43 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+4.82 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
61+3.81 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+3.08 EUR
100+3.01 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFEupecTO-220PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF
Produktcode: 58576
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon Technologies IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon TechnologiesIRFB4137PBFAKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212
Produktcode: 99478
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.19 EUR
10+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFIR08+ DO-35
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRFB4215PBFIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
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IRFB4227Infineon / IRMOSFETs
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IRFB4227International RectifierN-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFB4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 1000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.18 EUR
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.96 EUR
71+2.37 EUR
112+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
41+5.71 EUR
100+3.69 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 67851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
71+2.43 EUR
111+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.66 EUR
60+2.81 EUR
100+2.64 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
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IRFB4227PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
50+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.66 EUR
60+2.87 EUR
100+2.75 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBF
Produktcode: 25579
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 53 St.
  • 53 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
85+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.86 EUR
50+4.61 EUR
100+4.36 EUR
250+4.13 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.99 EUR
62+2.62 EUR
100+1.99 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 4373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.15 EUR
5000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.88 EUR
60+2.87 EUR
61+2.78 EUR
100+2.18 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
50+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.88 EUR
60+2.81 EUR
61+2.68 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
59+3.99 EUR
100+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5 EUR
61+2.82 EUR
62+2.73 EUR
100+2.11 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228International RectifierN-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.54 EUR
31+7.72 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.54 EUR
29+6 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+7.98 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.59 EUR
29+5.91 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
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IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4228PBFXKMA1
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IRFB4229Infineon / IRMOSFETs
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+5.34 EUR
50+4.15 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFB4229PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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