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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BC856AFSW-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 450 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.052 EUR
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSW-7Diodes ZetexBC856AFSW-7
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSW-7Diodes ZetexBC856AFSW-7
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSW-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSW-7Diodes ZetexBC856AFSW-7
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 450 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.06 EUR
10000+0.058 EUR
15000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
92+0.23 EUR
149+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALonsemionsemi SS SOT23 GP XSTR PNP 65V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AL3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AL3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AL3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1MOT
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 37900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1onsemiDescription: TRANS PNP 65V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 227900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1ONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT1 - TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
863+0.099 EUR
1238+0.069 EUR
1458+0.058 EUR
1714+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6370+0.027 EUR
6411+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 6370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 59818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30613+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 30613 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1G
Produktcode: 148854
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30613+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 30613 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GONN
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30613+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 30613 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
8+0.43 EUR
19+0.18 EUR
100+0.096 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GOn SemiconductorTRANS PNP 65V 100MA SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
143+0.14 EUR
235+0.089 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT3onsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 33000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT3G - BC856ALT3G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 170000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AM3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AM3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AMTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 7794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3620+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AMTFONSEMIDescription: ONSEMI - BC856AMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6411+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
15000+0.046 EUR
30000+0.042 EUR
60000+0.039 EUR
120000+0.036 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQYangjie Electronic TechnologyPNP General Purpose Amplifier
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AQ-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
705+0.33 EUR
1128+0.19 EUR
1544+0.14 EUR
1664+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
67+0.31 EUR
81+0.26 EUR
94+0.23 EUR
108+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AQ-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.57 EUR
705+0.33 EUR
1128+0.19 EUR
1544+0.14 EUR
1664+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQB-QZNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT8015 65V .1A PNP BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQB-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQBZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
81+0.26 EUR
131+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQBZNexperiaBipolar Transistors - BJT BC856AQB/SOT8015/DFN1110D-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQBZ Транзистор
Produktcode: 222360
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
449+0.51 EUR
736+0.29 EUR
1051+0.2 EUR
1213+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2084 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNexperiaBipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
449+0.51 EUR
736+0.29 EUR
1051+0.2 EUR
1213+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 29700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1036+0.17 EUR
1725+0.096 EUR
1743+0.092 EUR
1761+0.087 EUR
2667+0.055 EUR
2689+0.052 EUR
3788+0.036 EUR
5103+0.026 EUR
6411+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1036 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQC-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 29700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2667+0.064 EUR
2689+0.063 EUR
3788+0.044 EUR
5103+0.032 EUR
6411+0.025 EUR
6897+0.023 EUR
15000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 2667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQCZNexperiaBipolar Transistors - BJT BC856AQC/SOT8009/DFN1412D-3
auf Bestellung 9970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.09 EUR
5000+0.088 EUR
25000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
86+0.25 EUR
139+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
2000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQCZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.51 EUR
807+0.29 EUR
1283+0.17 EUR
1764+0.12 EUR
2258+0.095 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AQCZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.51 EUR
807+0.29 EUR
1283+0.17 EUR
1764+0.12 EUR
2258+0.095 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ARFTaiwan SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856ASDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BC856AS-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856AS-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100mA 65V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.38 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BC856AS-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 2801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.26 EUR
131+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BC856AS-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856AS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.55 EUR
658+0.36 EUR
1188+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856AS-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856AS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.55 EUR
658+0.36 EUR
1188+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
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BC856ASQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856ASQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1337+0.13 EUR
1852+0.092 EUR
2137+0.077 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 1337 Stücke
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BC856ASQ-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BC856ASQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
518+0.33 EUR
842+0.2 EUR
1337+0.12 EUR
1852+0.083 EUR
2137+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 518 Stücke
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BC856ATYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.048 EUR
60000+0.044 EUR
120000+0.039 EUR
300000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856ATPHILIPS01+ SOT-423
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC856ATYangjie Electronic TechnologyBC856AT
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BC856AT TR PBFREECentral SemiconductorSurface Mount PNP Silicon Transistors
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856AT TR PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA 250mW
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BC856AT TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 65V 100MA 250MW SMD TRANSISTOR-S
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-523
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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