Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 111 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | auf Bestellung 3612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB448PBF | Infineon Technologies | IRFB448PBF^INFINEON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 128 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 128 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | auf Bestellung 873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | IRFB4510PBF Транзисторы | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4510PBF Produktcode: 58620
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 62 A Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58 JHGF: THT | auf Bestellung 134 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF.. | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 62 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610 Produktcode: 99480
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 73 Rds(on), Ohm: 11 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3550/90 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4610PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615 Produktcode: 99481
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 150 Idd,A: 35 Rds(on), Ohm: 32 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1750/26 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | auf Bestellung 3079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 578419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm | auf Bestellung 1052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB - MOSFETs - Single | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF Produktcode: 52030
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 25 Rds(on), Ohm: 0.60 Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 205189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4620PBFXKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4710 | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710PBF Produktcode: 35455
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 75 Rds(on), Ohm: 0.014 Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110 JHGF: THT | auf Bestellung 79 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFB4710PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4710PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4710PBF - IRFB4710 - 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4710PBF?94-2355? | IR | TO-220AB | auf Bestellung 24472 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFB52N15D | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15D | International Rectifier | N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB52N15D Produktcode: 40428
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | auf Bestellung 1824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | auf Bestellung 9341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 9268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | International Rectifier | TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF Produktcode: 59925
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB5615 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
