Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 16255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 16255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF Produktcode: 72936
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 96 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5150/120 Montage: THT | auf Bestellung: 15 St.
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC | auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4410Z | International Rectifier | N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410Z Produktcode: 40049
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4410Z | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4410Z | International Rectifier | N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410Z | International Rectifier | N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZGPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZGPBF | International Rectifier | Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 97 А, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4820 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 58 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 300 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 111 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 111 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4410ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB448PBF | Infineon Technologies | IRFB448PBF^INFINEON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF Produktcode: 58620
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 62 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,7 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3180/58 Montage: THT | auf Bestellung: 111 St.
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| IRFB4510PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | auf Bestellung 1001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | IRFB4510PBF Транзисторы | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4510PBF.. | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 62 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610 Produktcode: 99480
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 73 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3550/90 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4610PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF Produktcode: 99481
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Idd, A: 35 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1750/26 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 578119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB - MOSFETs - Single | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 205189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF Produktcode: 52030
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 25 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
