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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF2N60CONS/FAI1.35A, 600V, N-Channel MOSFET,TO-220F Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60C
Produktcode: 180861
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+1.46 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60ConsemiMOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 23W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
auf Bestellung 6360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
358+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N60CON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70onsemiMOSFETs 700V N-Channel Q-FET
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.8 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.2 EUR
5000+1.18 EUR
10000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 42241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
439+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+1.34 EUR
508+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+1.34 EUR
508+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 29241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70CFAIRCHILD09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N70_Tonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80FAIRCHILD2002 TO-220F
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.33 EUR
100+2.26 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.62 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80ONS/FAI1.5A, 800V, N-Channel MOSFET,TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 6.3 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80CFAIRCHILD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
50+2.61 EUR
100+2.36 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTUonsemi / FairchildMOSFET QF 800V 6.3OHM TO220F
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+4.19 EUR
25+3.94 EUR
100+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N80YDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N80YDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90FAIRCHILD2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 52651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
158+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90ONS/FAI1.4A, 900V, N-Channel MOSFET,TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90
Produktcode: 30532
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 1,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/12
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.57 EUR
10+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
auf Bestellung 48731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.64 EUR
10000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2NA90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2NA90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2P25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 1.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF2P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.34A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
auf Bestellung 82723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06ON Semiconductor / FairchildMOSFET TO-220F N-CH 60V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF30N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22.5 A, 0.027 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF30N06L_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/LL/60V/22.5A/0.035OHM@VGS=10V/0.045OHM@VGS=5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N12V2FAIRCHILDFQPF32N12V2
auf Bestellung 82258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N12V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
auf Bestellung 83103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
193+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N12V2FAIRCHILDFQPF32N12V2
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N12V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF32N12V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 83103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20Consemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20C
Produktcode: 132213
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
247+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.98 EUR
250+2.81 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.48 EUR
10000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10
Produktcode: 42633
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10LFAIRCHIL09+ SOT263
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
76+3.06 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10Lonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 19653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+3.14 EUR
100+2.53 EUR
500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF33N10L
Produktcode: 88710
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF34N20Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF34N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 8.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF34N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF34N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF34N20LFAIRCHILDFQPF34N20L
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.44 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF34N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 8.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25onsemiMOSFETs 250V N-Channel QFET
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
664+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
10000+0.79 EUR
100000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
664+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 664 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
809+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 809 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N25FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
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664+0.99 EUR
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FQPF3N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 1.95A TO220F
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FQPF3N40FAIRCHILDFQPF3N40
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FQPF3N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N40 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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822+1.17 EUR
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FQPF3N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220F
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.18 EUR
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FQPF3N50CFAIRCHILD06+
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FQPF3N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20381 Stücke:
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479+2 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
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FQPF3N50CFAIRCHILDFQPF3N50C
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500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
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