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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 60...100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9678+0.068 EUR
10831+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9678 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
618+0.4 EUR
1064+0.21 EUR
2500+0.086 EUR
2778+0.077 EUR
3704+0.058 EUR
5000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 618 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
auf Bestellung 45948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON-Semiconductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2711+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 2711 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
1058+0.21 EUR
2488+0.086 EUR
2763+0.077 EUR
3413+0.063 EUR
5000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13888+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 13888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 4604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212PW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1 - MUN5212T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 62700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 23700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 110724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1ONSOT323
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 130850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GON Semiconductor
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
658+0.38 EUR
1096+0.21 EUR
1783+0.12 EUR
2445+0.088 EUR
2632+0.081 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 658 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 60...100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 12456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
88+0.24 EUR
162+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
658+0.38 EUR
1096+0.21 EUR
1783+0.12 EUR
2445+0.088 EUR
2632+0.081 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 658 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5212T2
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213MOTSOT-323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213-T1
auf Bestellung 2091000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213/8CON09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6508+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1ON07+;
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
auf Bestellung 233800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6508+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6508+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 212800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6508+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G
Produktcode: 174648
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
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560+0.31 EUR
562+0.3 EUR
564+0.29 EUR
565+0.27 EUR
567+0.26 EUR
569+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
424+0.2 EUR
464+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.57 EUR
705+0.33 EUR
1124+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1802+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11539+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1687+0.1 EUR
2041+0.084 EUR
3000+0.062 EUR
9000+0.055 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 33146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
11+0.33 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
576+0.31 EUR
996+0.17 EUR
1687+0.096 EUR
2041+0.077 EUR
3000+0.056 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 576 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.31 EUR
569+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 9164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.43 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.1 EUR
2500+0.099 EUR
10000+0.08 EUR
20000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 9984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
71+0.3 EUR
114+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T3GON Semiconductor
auf Bestellung 19545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213RT1
auf Bestellung 1266000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213T1 - MUN5213T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1/CK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 531000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON-SemiconductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 92747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
122+0.17 EUR
199+0.11 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 28489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
16+0.21 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.046 EUR
9000+0.039 EUR
24000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3473+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
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MUN5213T1G
Produktcode: 177311
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1454+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
75000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3572+0.049 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.036 EUR
24000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213T2
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213TI
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213\8CONSOT-323
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214onsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5214DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MUN5214DW1T1GOn SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Транзистори
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