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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SP8M3TB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4ROHMSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4-F-TB
auf Bestellung 75400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41
Produktcode: 128561
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41 TBROHM09+
auf Bestellung 14889 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41-TBROHMSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41FU6TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+4.03 EUR
100+2.57 EUR
200+2.33 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.57 EUR
100+1.68 EUR
250+1.57 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.57 EUR
100+1.71 EUR
250+1.61 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.42 EUR
2500+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M41TB
auf Bestellung 14861 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOP
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012
Dauer-Drainstrom Id: 9
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 30V Vds 9A 0.017Rds(on) 15Qg
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.92 EUR
100+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FU67B
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
100+2.71 EUR
250+2.56 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.4 EUR
58+4.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.5 EUR
100+2.64 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.43 EUR
50+3.5 EUR
100+3.11 EUR
200+2.28 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.57 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4TBROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/PCH 30V 9A/7A 8PIN
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.06 EUR
10+3.92 EUR
100+2.73 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M4TBROHM09+
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51
auf Bestellung 6068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
auf Bestellung 24078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+3.22 EUR
100+2.2 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.64 EUR
2500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51GTB1Rohm SemiconductorSP8M51GTB1
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51GTB1Rohm SemiconductorSP8M51GTB1
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.76 EUR
104+1.67 EUR
250+1.56 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51GTB1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
100+1.74 EUR
250+1.63 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
101+2.13 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.65 EUR
100+2.34 EUR
200+2.25 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
70+3.34 EUR
101+2.13 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.77 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOP
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5FT1TB
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6ROHM07+ SOP8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6
Produktcode: 77055
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.23 EUR
100+1.58 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.11 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
95+2.46 EUR
127+1.69 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
127+1.69 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M6TB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8M6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Produkt ist nicht verfügbar
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SP8M6TBROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8-Pin SOP T/R
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SP8M7ROHM07+ SOP8
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SP8M70N/A
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SP8M70TB
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SP8M70TB1ROHM SemiconductorMOSFET CHECK PROD MOSFET 250V/-250V 3A/-2.5A
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SP8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SP8M7FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M7TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SP8M8ROHM SemiconductorMOSFET
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SP8M8ROHM04+ SOP8
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SP8M8-FD5-TB
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SP8M8-TBROHMSOP8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SP8M8FSPSO-8
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SP8M8FD5-TB1
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SP8M8FD5T
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SP8M8FD5TB
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SP8M8FD5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V, 850pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8M8FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M8FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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SP8M8FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M8FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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SP8M8FTB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SP8M8FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
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SP8M8FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
Produkt ist nicht verfügbar
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SP8M8TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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