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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 578119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
10000+1.19 EUR
100000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFVishay / SiliconixMOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB - MOSFETs - Single
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.55 EUR
56+3.06 EUR
78+2.14 EUR
100+2.06 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
10+3.42 EUR
50+2.61 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 205189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.38 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.9 EUR
10000+1.67 EUR
100000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.4 EUR
28+3.09 EUR
33+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.55 EUR
56+3 EUR
78+2.06 EUR
100+1.94 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.09 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
59+3.95 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.32 EUR
51+3.31 EUR
66+2.44 EUR
100+2.11 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+658.57 EUR
250+639.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBF
Produktcode: 52030
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4620PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
61+3.86 EUR
100+2.55 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4620PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4620PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710International RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710International RectifierN-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.64 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBF
Produktcode: 35455
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6160/110
Montage: THT
auf Bestellung: 79 St.
  • 79 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+3.45 EUR
100+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4710PBF - IRFB4710 - 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4710PBF?94-2355?IRTO-220AB
auf Bestellung 24472 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15D
Produktcode: 40428
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DInternational RectifierN-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.28 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.63 EUR
10000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.71 EUR
55+3.05 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.78 EUR
54+3.17 EUR
100+2.63 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.82 EUR
64+2.68 EUR
100+2.53 EUR
250+2.4 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.21 EUR
2500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
48+4.91 EUR
100+3.86 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.28 EUR
56+3 EUR
100+2.49 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.78 EUR
54+3.19 EUR
100+2.59 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.28 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.28 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.63 EUR
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IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2501 Stücke:
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30+5.77 EUR
54+3.09 EUR
100+2.53 EUR
500+1.76 EUR
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IRFB52N15DPBF
Produktcode: 59925
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
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31+5.71 EUR
55+3.12 EUR
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IRFB52N15DPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.99 EUR
35+2.5 EUR
36+2.37 EUR
39+2.23 EUR
50+2.14 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRFB52N15DPBFInternational RectifierTO220 Транзистори
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IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.51 EUR
61+2.82 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.28 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+3.42 EUR
100+3 EUR
500+2.62 EUR
2000+2.34 EUR
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IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
auf Bestellung 8054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.47 EUR
50+3.45 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.51 EUR
61+2.76 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRFB5615Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB5615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.31 EUR
100+2 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.44 EUR
52+3.26 EUR
100+3.08 EUR
250+2.93 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFB5615PBF
Produktcode: 118300
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.4 EUR
152+1.12 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.52 EUR
47+1.83 EUR
52+1.67 EUR
59+1.45 EUR
65+1.31 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.19 EUR
81+2.12 EUR
113+1.48 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.19 EUR
81+2.07 EUR
113+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.44 EUR
52+3.26 EUR
100+3.08 EUR
250+2.93 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
65+3.57 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.74 EUR
123+1.36 EUR
152+1.06 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.75 EUR
100+1.67 EUR
113+1.43 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.75 EUR
100+1.7 EUR
113+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
89+2.62 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB5615PBFXKMA1
auf Bestellung 268000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+2.02 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.62 EUR
10000+1.42 EUR
100000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620International RectifierN-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.53 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
119+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
82+2.07 EUR
100+1.84 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.65 EUR
50+2.8 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.03 EUR
74+2.25 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.01 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.98 EUR
101+1.65 EUR
104+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF
Produktcode: 47564
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 18 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: THT
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IRFB5620PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB5620PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Транзистори
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IRFB5620PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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