Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFB5620PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB5620PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB5620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB59N10D Produktcode: 37576
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFB59N10D | Infineon | N-MOSFET HEXFET 59A 100V 3.8W 0.025Ω IRFB59N10D TIRFB59n10d Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB59N10DPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB59N10DPBF Produktcode: 84303
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2450 @ 25, Qg, нКл = 114 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 35,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: ш Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB59N10DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 59 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB61N15DPBF Produktcode: 116418
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFB61N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB61N15DPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430 | International Rectifier | 409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB7430 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 300 nC Qg, TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm | auf Bestellung 873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V 195A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7434GPBF | International Rectifier HiRel Products | Power Mosfet | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 26510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 21050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7434PBF Produktcode: 171783
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В Drain-Strom Idd, A: 195 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,25 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10820/216 Montage: THT | erwartet: 50 St.
auf Bestellung: 20 St.
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| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 21050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7437 | International Rectifier | 250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB7437GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7437GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 2 150 nC Qg, TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | auf Bestellung 2812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 195 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7330 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10, Rds = 2 @ 100 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,9 @ 150 мкА В, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 18 Од Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7437PBF Produktcode: 202363
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 507000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 507000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC | auf Bestellung 1422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 7100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7437PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB7440GPBF - IRFB7440 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF Produktcode: 150169
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon | MOSFET N CH 40V 120A TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | auf Bestellung 34927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 38032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7446 | International Rectifier | 123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB7446 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7446GPBF | International Rectifier | Description: IRFB7446 - POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V | auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFB7446PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 99W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 1244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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