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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.99 EUR
30+22.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40G12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 202 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.74 EUR
9+28.89 EUR
10+24.42 EUR
50+24.16 EUR
100+23.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.48 EUR
10+20.92 EUR
100+17.42 EUR
600+15.4 EUR
1200+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 40A POWER SCH
Packaging: Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.53 EUR
30+27.86 EUR
120+27.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 40A power Schottky High Surge silicon carbide diode
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.78 EUR
10+38.53 EUR
25+36.82 EUR
50+34.64 EUR
100+32.93 EUR
250+31.39 EUR
600+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.36 EUR
10+23.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.33 EUR
10+22.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 129 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 2x20A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
10+25.97 EUR
25+25.91 EUR
100+21.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.89 EUR
100+2.32 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.93 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
78+3 EUR
113+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin SMB Flat T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
50+2.09 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
auf Bestellung 6258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065UFY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, DO-221AA (SMB flach)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065UFY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, DO-221AA (SMB flach)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AA (SMB flach)
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
67+3.47 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin SMB Flat Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4G065UFYSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.11 EUR
50+2.37 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.26 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
107+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.29 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
73+3.18 EUR
107+2.01 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.29 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+1.75 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.17 EUR
5000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+3.2 EUR
100+2.26 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.17 EUR
71+2.42 EUR
100+2.11 EUR
500+1.89 EUR
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+2.07 EUR
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.17 EUR
71+2.36 EUR
100+2.03 EUR
500+1.78 EUR
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC5H12B-TR1
Produktcode: 175681
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
auf Bestellung 12301 Stücke:
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199+3.25 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.8 EUR
10000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
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STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 5 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 774 Stücke:
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1+8.19 EUR
10+4.65 EUR
100+4.14 EUR
500+3.88 EUR
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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64+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.26 EUR
58+2.77 EUR
59+2.63 EUR
100+2.4 EUR
250+2.28 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+5.27 EUR
100+3.76 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.22 EUR
53+3.22 EUR
100+2.78 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STPSC5H12DSTMDiode 1200 V 5A Through Hole TO-220AC Діоди та діодні збірки
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; Ir: 200uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.16 EUR
26+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
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STPSC5H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC5H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 36 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
40+5.89 EUR
100+4.31 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
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STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.36 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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STPSC606DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6A 600V 6nC Schottky Carbide
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STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STPSC606DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
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STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
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STPSC606GSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 600V; 6A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 27A
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
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STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
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STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STPSC606G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
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STPSC6C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 6 A SiC Power Schottky Diode
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STPSC6G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.51 EUR
100+1.92 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.37 EUR
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STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+2.14 EUR
100+1.87 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.67 EUR
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STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.21 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
61+3.81 EUR
100+3.21 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.12 EUR
10+3.97 EUR
50+3.05 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+2.93 EUR
100+2.4 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
5000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.62 EUR
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STPSC6H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
50+3.37 EUR
100+2.77 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STPSC6H065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Produkt ist nicht verfügbar
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STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.94 EUR
60+2.87 EUR
100+2.56 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.64 EUR
50+3.58 EUR
100+3.24 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STPSC6H065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ACIns
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
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STPSC6H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
Produkt ist nicht verfügbar
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STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.91 EUR
60+2.8 EUR
100+2.45 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 6A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.25mA
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.39 EUR
125+1.37 EUR
126+1.32 EUR
250+1.29 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
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STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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