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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCPF190N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65FL1-F154ONN
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF190N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 190MOHM F TO220F
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.34 EUR
10+5.45 EUR
100+4.96 EUR
500+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3L1ON SemiconductorN-Channel SuperFET MOSFET
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF190N65S3L1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF190N65S3L1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 327340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF190N65S3L1ON Semiconductor
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3L1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3R0LONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF190N65S3R0L - MOSFET, N-CH, 650V, 17A, TO-220FP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 58079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3R0LON Semiconductor
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3R0LonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 17A 190 mOhm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.02 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
505+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 6063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.32 EUR
50+6.57 EUR
100+6.02 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF20N60 - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF20N60On SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO-220-3 Full Pack Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+8.82 EUR
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FCPF20N60
Produktcode: 60737
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60CFairchild
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60SFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60STFairchild SemiconductorDescription: 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60TONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF20N60T - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60Tonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-CH SuperFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60TOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60TonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60TYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF21N60NTFAIRCHILDFCPF21N60NT
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+5.78 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF21N60NTFairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220F
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF21N60NTON SemiconductorMOSFET SupreMOS, 21A TO220F
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+5.78 EUR
500+5.4 EUR
1000+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF21N60NTONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF21N60NT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF21N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF21N60NTonsemi / FairchildMOSFETs SupreMOS, 21A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 23A; Idm: 57A; 44W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 57A
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 0.22Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 18797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.81 EUR
50+5.93 EUR
100+5.69 EUR
500+5.16 EUR
1000+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+5.87 EUR
100+5.59 EUR
500+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80onsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+8.4 EUR
100+7.12 EUR
500+6.18 EUR
1000+6.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80ON Semiconductor
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF2250N80Z - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80ZON Semiconductor
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
176+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF2250N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+4.65 EUR
100+3.42 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.45 EUR
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FCPF22N60NTON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF22N60NTonsemiMOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
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FCPF22N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 139691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.96 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.27 EUR
10000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF22N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF22N60NTonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF250N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF250N65S3L1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 250 mOhm, TO220F PKG
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FCPF250N65S3L1ON Semiconductor
auf Bestellung 9840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF250N65S3L1-F154onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 15978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.15 EUR
50+4.19 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.92 EUR
2000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF250N65S3L1-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+6.83 EUR
25+4.08 EUR
100+3.5 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.06 EUR
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FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.5 EUR
74+2.19 EUR
75+2.08 EUR
100+1.92 EUR
250+1.81 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF250N65S3L1-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCPF250N65S3L1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF250N65S3R0LON Semiconductor
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF250N65S3R0LON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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FCPF250N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.07 EUR
50+4.13 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF250N65S3R0L-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.53 EUR
100+3.25 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
70+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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FCPF250N65S3R0L-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.65 EUR
46+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
44+5.33 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
142+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60Eonsemi / FairchildMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+4.32 EUR
100+3.22 EUR
500+3.01 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EonsemiDescription: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
10+5.7 EUR
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EonsemiMOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.76 EUR
10+6.39 EUR
100+4.77 EUR
500+4 EUR
1000+3.71 EUR
2500+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON Semiconductor
auf Bestellung 49650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 260mOhm SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF260N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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FCPF260N60E-F154onsemiMOSFET SF2 600V 260MOHM E TO220F
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FCPF260N65FL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
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173+3.19 EUR
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FCPF260N65FL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SuperFET II, FRFET , 650 V, 15 A, 260 mO, TO-220F
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