Produkte > SIS

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SISHA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA12ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
15+1.39 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA14DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 19.7A
auf Bestellung 6703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.58 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 11705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM-3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM650SIS
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM650BOAA-DH-1SIS0444/0
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM661FXSISBGA
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM661FX(A1)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM661FXA1
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM661MXSIS06+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM661MXB1
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSM671A1
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM672A1BDSIS08+
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM741
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM760GXLV
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM760LV
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISM76A3
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISNAP915DKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si1000
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver, Microcontroller
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISNAP915DKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISNAP915EKSilicon LabsRF Development Tools
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISNAP915EKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR EVALUATION KIT EVALKIT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISNAP915EKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si1000
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver, Microcontroller
Contents: Board(s), Accessories
Utilized IC / Part: Si1000
Supplied Contents: Board(s), Accessories
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISP1761BENXP
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-BR-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-OZLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: Rack Mount
Voltage - Input: 100 ~ 250VAC, 52 ~ 57VDC
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 22
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP, SFP+
Copper Ports: 16
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 6
SFP/XFP Type: SFP, SFP+
PoE Ports: 16
SFP/XFP Ports: 6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-NA-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3166-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-NALantronixSISPM1040-3248-L-NA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6105.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-SA-L1Y1LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans ONE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-3248-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-362-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 10/100/1000Base-T w/100/
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-384-LRT-CLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial LAN SWITCH Managed Hardened PoE+ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000B
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2354.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-384-LRT-CLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 44V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-582-LRTLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 52V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 2
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3009.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1040-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE++ (2) 100/1000Base-X SFP
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2247.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISPM1242-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch, 10G uplink (4) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100M/1G/2.5G PoE++ Ports, (2) 1G/10GSFP+ Slots
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3595.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISR30ST
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS02DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 6760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.02 EUR
176+0.98 EUR
179+0.93 EUR
182+0.88 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 3813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
auf Bestellung 7317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
Pulsed drain current: -300A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
91+2.55 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 9614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
auf Bestellung 13105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+1.93 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
9000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS08DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.73 EUR
100+1.25 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH