Produkte > STF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STF40N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40N65M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Pulsed drain current: 128A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 99mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±25V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package | auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF40N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm | auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF40NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V STripFET 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF03L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 23A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF06 | STMicroelectronics | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STF40NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp | auf Bestellung 1545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF40NF06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF20 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF20 | STM | MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF20 | STMicroelectronics | MOSFETs Low charge STripFET | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF40NF20 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF40NF20 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF40NF20 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF410T2A | TE Connectivity | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STF410T2A | TE Connectivity | Standard Circular Connectors | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF410T2A | TE Connectivity | Category: Industrial connectors - Unclassified Description: STF410T2A | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF42 | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STF42N60M2-EP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V | auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF42N60M2-EP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF42N60M2-EP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF42N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF42N65M5 Produktcode: 130003
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STF42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 65V 33A MDMESH | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF42N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF43N60DM2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag | auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF43N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF45N10F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF45N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100V 0.0145 Ohm typ 30A STripFET VII | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF45N10F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF45N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): 20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF45N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 40W Version: ESD Drain current: 22A | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF45N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF45N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V | auf Bestellung 1219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF45N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF460 | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STF46N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF46N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4A60 | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STF4LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package | auf Bestellung 1852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4LN80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V | auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4LN80K5 Produktcode: 165741
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220FP Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В Drain-Strom Idd, A: 3 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 122/3,7 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| STF4LN80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4N52K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220FP | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4N52K3 | STMicroelectronics | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STF4N62K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4N62K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected | auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4N80K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF4N90K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V | auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4N90K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate charge: 5.3nC | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF4N90K5 | STM | N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4N90K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4N90K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4N90K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package | auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF4NK50ZD | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF4NK50ZD | auf Bestellung 18957 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STF57N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V | auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF57N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF57N65M5 | STM | MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP Транзистори | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 | auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF57N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 42A; Idm: 168A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 42A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF57N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N105K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N105K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 100 V | auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF5N52K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N52K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N52K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N52U | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N52U | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STF5N52U | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N52U | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N52U | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N60M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF5N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2 | auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF5N62K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STF5N62K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH 3 | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF5N62K3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF5N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 4.2 A, 1.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 620V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.28ohm | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5N62K3 | STMicroelectronics | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
