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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TR2
Produktcode: 99496
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,99 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10890/155
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TR2PBF
Produktcode: 144113
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.89 EUR
70+2.45 EUR
100+2.18 EUR
200+1.61 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
auf Bestellung 7641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
50+2 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
105+2.05 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBF
Produktcode: 150522
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
77+3.03 EUR
105+2.05 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TR2PBF
Produktcode: 63217
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.74 EUR
126+1.34 EUR
127+1.27 EUR
142+1.09 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.77 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 13884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.77 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.77 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.25 EUR
25+1.24 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
132+1.77 EUR
138+1.56 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.77 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+2.03 EUR
100+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.39 EUR
127+1.36 EUR
142+1.19 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7084Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
auf Bestellung 24220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.43 EUR
4000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7084TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
120+1.8 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
auf Bestellung 8924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
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IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
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IRFH7084TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
83+2.81 EUR
120+1.8 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH7084TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
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52+3.38 EUR
78+2.17 EUR
107+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFH7084TRPBF
Produktcode: 173649
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IRFH7084TRPBFInfineon TechnologiesIRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
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IRFH7085TRInternational RectifierN-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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47+3.7 EUR
70+2.46 EUR
100+2.23 EUR
200+1.78 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFH7085TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 147A; 156W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.6mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+2.98 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.19 EUR
8000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.18 EUR
8000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.98 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
4000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
69+3.37 EUR
100+2.33 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
10000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBFInfineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7107TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7107TRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7107TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 14A/75A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
474+1.38 EUR
526+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+17.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBFIRFH7110TRPBF Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7110TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7110TRPBF - IRFH7110 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
535+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 535 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7182TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7184TRPBFInfineon / IRMOSFET TRENCH_MOSFETS
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7184TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7185TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 123A 5.2 mOhm Mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7185TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH7185TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 19A QFN-8 Транзистори
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IRFH7185TRPBF
Produktcode: 110203
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7185TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7187TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7188TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRFH7188TRPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 100V N CHANNEL
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRFH7188TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7190ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 8-TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7190TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
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IRFH7191TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7191TRPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 100V N CHANNEL
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRFH7191TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7191TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
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IRFH7194TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH7194TRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
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IRFH7194TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFH7194TRPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 100V N CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFH7440Infineon TechnologiesMOSFETs
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