Produkte > AUI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| AUIRFN8403TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8405TR | International Rectifier HiRel Products | AUIRFN8405TR | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN8405TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 95A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5142 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8405TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFN8405TR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 40 V, 187 A, 0.0016 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 187 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8405TR | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8458TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 34W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8458TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET | auf Bestellung 1574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFN8458TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 34W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8458TRXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8458TRXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 34W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8459TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 19938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | MOSFETs 40V Dual N Channel HEXFET | auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFN8459TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 19938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8459TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFN8478TR | Infineon Technologies | Description: AUIRFN8478 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFN8478TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFN8478TR - AUIRFN8478 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFP064N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP064N | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP064N | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 160A TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP064N | International Rectifier | Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP064N-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP1405 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 160A TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP1405 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP1405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP1405 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP1405 | Infineon Technologies | Description: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP1405-203 | International Rectifier | Description: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP1405-203 | Infineon / IR | MOSFET AUTO TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP1405-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP2602 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11220 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP2907 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP2907 | Infineon Technologies | Description: AUIRFP2907 - 75V-100V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP2907 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP2907 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP2907Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP2907Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4004 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP4004 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4110 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4110 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP4110 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4110 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP4110 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4110 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFP4110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFP4110XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4310Z | Infineon Technologies | HEXFET Power MOSFET | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFP4310Z | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 75 / 80 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4310Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4409 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 8974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP4409 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFP4568 | Infineon Technologies | AUIRFP4568 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFP4568 | Infineon Technologies | AUIRFP4568 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568-E | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFP4568-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFP4568-E | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568-E | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568-EXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568-EXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568XKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP4568XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFP46310Z | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024N | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 1777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR024N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024N | Infineon | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024NTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR024NTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR1010Z | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR1010Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010Z | Infineon | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms TO-252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010Z | Infineon Technologies | Description: AUIRFR1010 - 55V-60V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010ZTRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010ZTRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1010ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018E | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018E | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018E-IR | International Rectifier | Description: PFET, 56A I(D), 60V, 0.0084OHM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018ETR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018ETRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018ETRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR1018ETRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR120Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR120Z | International Rectifier | Description: PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM, Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR120Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | auf Bestellung 2193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR120Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR120Z | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR120Z - AUIRFR120 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR120ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR120ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AUIRFR120ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |