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CSD18504KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

398+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 398 Stücke

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CSD18504KCS

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.02 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.15 EUR

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CSD18504KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD18504KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.06 EUR
2000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD18504KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 115W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	1.3 EUR
67+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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CSD18504KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

auf Bestellung 6810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

317+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 317 Stücke

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CSD18504KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.06 EUR
2000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD18504KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18504KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD18504KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.61 EUR
50+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.5 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 2189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.84 EUR
96+	1.76 EUR
98+	1.65 EUR
141+	1.11 EUR
250+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5A

Texas Instruments

Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9,8mOhm; 75A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18504Q5AT CSD18504Q5A TCSD18504q5a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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CSD18504Q5A

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.47 EUR
109+	2.13 EUR
154+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 2189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

96+	1.83 EUR
98+	1.76 EUR
141+	1.19 EUR
250+	1.17 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 96 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 6902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.44 EUR
105+	1.61 EUR
149+	1.09 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18504Q5A

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18504Q5AT

auf Bestellung 8141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.37 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.96 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5A

Texas Instruments

MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5A

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	3.47 EUR
109+	2.13 EUR
154+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 6917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.44 EUR
105+	1.64 EUR
149+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.75 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 77W
Gate charge: 7.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18504Q5A

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.19 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	1.95 EUR
500+	1.78 EUR
750+	1.7 EUR
1250+	1.61 EUR
1750+	1.55 EUR
2500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18504Q5AT

Texas Instruments

auf Bestellung 3489 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.05 EUR
10+	3.25 EUR
100+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V

auf Bestellung 1763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.01 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT

auf Bestellung 3667 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.09 EUR
2500+	1.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5B

Texas Instruments

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Транзистори

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	11.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5BG4

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET sin

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	2.65 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18509Q5BT

Texas Instruments

auf Bestellung 11406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.64 EUR
10+	5.01 EUR
100+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	2.05 EUR
500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	2.02 EUR
129+	1.3 EUR
133+	1.23 EUR
134+	1.17 EUR
145+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

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CSD18509Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 5250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	3.2 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.32 EUR
2500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18509Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 195W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

auf Bestellung 11250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	3.12 EUR
500+	2.88 EUR
750+	2.75 EUR
1250+	2.61 EUR
1750+	2.53 EUR
2500+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.34 EUR
133+	1.3 EUR
134+	1.26 EUR
145+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 129 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18509Q5BT

Texas Instruments

MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B

auf Bestellung 593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.38 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.68 EUR

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CSD1851-1

C&K

Littelfuse

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CSD18510KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD18510KCS

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

auf Bestellung 707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.4 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.4 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.68 EUR

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CSD18510KCS

TEXAS INSTRUMENTS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18510KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

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CSD18510KCS
Produktcode: 204826

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CSD18510KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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CSD18510KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.4 EUR
50+	2.67 EUR
100+	2.4 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD18510KTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.51 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD18510KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18510KTT

Texas Instruments

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18510KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18510KTT

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510KTTT

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.11 EUR
10+	3.5 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.82 EUR

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CSD18510KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18510KTTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.47 EUR
10+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD18510KTTT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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CSD18510KTTT

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18510KTT

auf Bestellung 427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.41 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.75 EUR

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CSD18510KTTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	3.27 EUR
100+	2.82 EUR
150+	2.69 EUR
250+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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CSD18510KTTT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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CSD18510KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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CSD18510KTTT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	5.14 EUR
32+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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CSD18510KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18510Q5B
Produktcode: 196757

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Transistoren > MOSFET N-CH

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CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

261+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 261 Stücke

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CSD18510Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V

auf Bestellung 3417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.45 EUR
10+	3.53 EUR
100+	2.43 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.61 EUR
80+	2.15 EUR
81+	2.08 EUR
104+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT

auf Bestellung 8558 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.37 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.89 EUR
2500+	1.75 EUR

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CSD18510Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

209+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 209 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18510Q5BT

Texas Instruments

auf Bestellung 1085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.1 EUR
10+	5.33 EUR
100+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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CSD18510Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18510Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 790ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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CSD18510Q5BT

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18510Q5B

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Texas Instruments

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CSD18510Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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CSD18510Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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CSD18510Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18510Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 790 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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CSD18511KCS

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

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CSD18511KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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CSD18511KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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