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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMP21D0UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.15 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
926+0.19 EUR
1395+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
auf Bestellung 243615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.11 EUR
20000+0.094 EUR
30000+0.089 EUR
50000+0.081 EUR
100000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
928+0.19 EUR
1395+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 928 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
auf Bestellung 49613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
49+0.43 EUR
56+0.37 EUR
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.11 EUR
20000+0.096 EUR
30000+0.093 EUR
50000+0.086 EUR
100000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7RDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
41+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2439000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
auf Bestellung 2445667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
47+0.45 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+1.27 EUR
279+0.83 EUR
681+0.31 EUR
827+0.26 EUR
1053+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
45000+0.11 EUR
75000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
45000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
auf Bestellung 2445000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.67 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 204000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+1.27 EUR
279+0.83 EUR
681+0.31 EUR
827+0.26 EUR
1053+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2304000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UT-7DIODES/ZETEXTransistor P-MOSFET; 20V; 8V; 495mOhm; 590mA; 240mW; -55°C ~ 150°C; DMP21D0UT-7 TDMP21D0UT-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 590 mA, 0.495 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
841+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon
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DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
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DMP21D0UT-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 590 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 80 @ 10, Qg, нКл = 1,54 @ 8 В, Rds = 495 мОм @ 400 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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DMP21D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 590 mA, 0.495 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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437+0.57 EUR
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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 Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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DMP21D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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3000+0.12 EUR
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DMP21D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.65A 3-Pin SOT-523 T/R
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3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
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DMP21D1UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
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10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
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DMP21D1UT-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
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6+0.65 EUR
12+0.29 EUR
100+0.25 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UT-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMP21D1UTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V SOT523 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 710mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
75000+0.089 EUR
150000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D1UTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V SOT523 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 20VDS 8VGS 49pF
auf Bestellung 12079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
362+0.64 EUR
935+0.23 EUR
1198+0.18 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.11 EUR
20000+0.1 EUR
30000+0.099 EUR
50000+0.093 EUR
70000+0.09 EUR
100000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 590000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
362+0.64 EUR
935+0.23 EUR
1198+0.18 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D2UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
auf Bestellung 222538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 150505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.08 EUR
50000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.67 EUR
610+0.38 EUR
926+0.23 EUR
1085+0.2 EUR
1403+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
50000+0.096 EUR
70000+0.093 EUR
100000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 570000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2146+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2146+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 54148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.67 EUR
610+0.38 EUR
926+0.23 EUR
1085+0.2 EUR
1403+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.079 EUR
50000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D5UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 16490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
39+0.54 EUR
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.9 EUR
404+0.57 EUR
1038+0.2 EUR
1339+0.15 EUR
1887+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1434000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.099 EUR
21000+0.095 EUR
30000+0.09 EUR
75000+0.081 EUR
150000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 1626000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 6637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
11+0.32 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.9 EUR
404+0.57 EUR
1038+0.2 EUR
1339+0.15 EUR
1887+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1434727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP21D6UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2200UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 8046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2066+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 2066 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2200UDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 0.6W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2200UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
auf Bestellung 69079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2200UDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
376+0.62 EUR
910+0.24 EUR
1132+0.19 EUR
1498+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2200UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 450mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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