Produkte > FCP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCPF260N65FL1 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SuperFET II, FRFET , 650 V, 15 A, 260 mO, TO-220F | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1-F154 | onsemi | MOSFETs SF2 650V 260MOHM F TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF260N65FL1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF290N80 | ON Semiconductor | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCPF290N80 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF290N80 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V | auf Bestellung 7634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm | auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF290N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 7634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF290N80 | onsemi | MOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm | auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F Packaging: Tube Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L | ON Semiconductor | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V | auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L-F154 | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V | auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L-F154 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L-F154 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L-F154 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 27W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Case: TO220 Gate-source voltage: 30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 27W Gate charge: 18nC Technology: PowerTrench® On-state resistance: 0.36Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF36N60NT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF36N60NT | ONS/FAI | MOSFET N-CH 600V 36A TO-220F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF36N60NT | onsemi / Fairchild | MOSFET SM 600V 90MOHM F TO220F | auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF36N60NT | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF36N60NT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V | auf Bestellung 5454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60 | onsemi | MOSFETs SuperFET2, 380mohm | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60-F152 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF380N60-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 476 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60-F152 | Fairchild Semiconductor | Description: 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60-F152 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60-F152 | onsemi | MOSFETs 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60-F152 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60-F152 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60-F154 | onsemi | MOSFETs SF2 600V 380MOHM F TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60-F154 | ONN | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCPF380N60-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60-F154 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF380N60-F154 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | auf Bestellung 1689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E | onsemi | MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F152 | ONS/FAI | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F152 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF380N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 201450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F152 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F152 | Fairchild Semiconductor | Description: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C Part Status: Obsolete Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F154 | ON Semiconductor | FCPF380N60E-F154 | auf Bestellung 55724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N60E-F154 | onsemi | MOSFETs SF2 600V 380MOHM E TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E_F152 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N60E_F152 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1 | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET, 650 V, 10.2 A, 380 mohm, TO-220F | auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 180 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1-F154 | onsemi | MOSFETs SF2 650V 380MOHM F TO220F | auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1-F154 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1-F154 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.2A; Idm: 30.6A; 33W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1-F154 | ONN | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCPF380N65FL1-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V | auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF380N65FL1. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 31W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N60 | ON Semiconductor | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCPF400N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220F-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CHAN MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 142000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | onsemi | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 11 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 35.7 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | Fairchild | N-MOSFET 800V 11A 400mΩ 35.7W FCPF400N80Z Fairchild TFCPF400N80Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCPF400N80ZL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 655 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SF2 800V 400MOHM E TO220F | auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1-F154 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FCPF400N80ZL1-F154 | onsemi | MOSFETs SF2 800V 400MOHM E TO220F | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
