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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FCPF260N65FL1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
auf Bestellung 3523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N65FL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SuperFET II, FRFET , 650 V, 15 A, 260 mO, TO-220F
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 260MOHM F TO220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.45 EUR
10+9.12 EUR
50+7.26 EUR
100+6.66 EUR
500+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80onsemiMOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.74 EUR
10+9.82 EUR
100+6.83 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80ON Semiconductor
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF290N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF290N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0LON Semiconductor
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0LonsemiMOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
276+2 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0L-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
500+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+4.77 EUR
50+3.7 EUR
100+3.36 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0L-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF360N65S3R0L-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 27W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 27W
Gate charge: 18nC
Technology: PowerTrench®
On-state resistance: 0.36Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF36N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF36N60NTonsemi / FairchildMOSFET SM 600V 90MOHM F TO220F
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.61 EUR
10+19.52 EUR
25+16.65 EUR
100+14.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF36N60NTONS/FAIMOSFET N-CH 600V 36A TO-220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF36N60NTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF36N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60onsemiMOSFETs SuperFET2, 380mohm
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+3.42 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.22 EUR
2000+3.01 EUR
5000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
50+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
auf Bestellung 5454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 476 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F152Fairchild SemiconductorDescription: 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
224+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F152onsemiMOSFETs 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.39 EUR
100+2.32 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 380MOHM F TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N60-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60-F154 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N60-F154ONN
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
10+4.69 EUR
100+3.3 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCPF380N60EonsemiMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.61 EUR
100+3.2 EUR
500+2.73 EUR
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FCPF380N60E-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 201450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+3 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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FCPF380N60E-F152ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Транзистори
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FCPF380N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FCPF380N60E-F152Fairchild SemiconductorDescription: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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FCPF380N60E-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 380MOHM E TO220F
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FCPF380N60E-F154ON SemiconductorFCPF380N60E-F154
auf Bestellung 55724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.77 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.4 EUR
10000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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FCPF380N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.87 EUR
100+3.42 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF380N60E_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FCPF380N60E_F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
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FCPF380N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.45 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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FCPF380N65FL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
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FCPF380N65FL1onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET, 650 V, 10.2 A, 380 mohm, TO-220F
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.78 EUR
5000+1.74 EUR
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FCPF380N65FL1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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FCPF380N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF380N65FL1-F154ONN
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCPF380N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.07 EUR
10+5.31 EUR
50+4.13 EUR
100+3.75 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCPF380N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 380MOHM F TO220F
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+3.83 EUR
100+3.5 EUR
500+3.09 EUR
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FCPF380N65FL1-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.2A; Idm: 30.6A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF380N65FL1.ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF400N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCPF400N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF400N60ON Semiconductor
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-CHAN MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+3.81 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+3.81 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZFairchildN-MOSFET 800V 11A 400mΩ 35.7W FCPF400N80Z Fairchild TFCPF400N80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+3.81 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.27 EUR
10000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.65 EUR
50+4.49 EUR
100+4.08 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+4.76 EUR
100+4.3 EUR
500+3.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
41+5.74 EUR
100+4.5 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 142000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+3.81 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.27 EUR
10000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF400N80ZL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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FCPF400N80ZL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 800V 400MOHM E TO220F
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FCPF400N80ZL1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N80ZL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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