Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.64 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.67 EUR
10+3.7 EUR
100+2.59 EUR
500+2.16 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 4424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
50+2.98 EUR
100+2.69 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.25 EUR
66+2.2 EUR
100+1.8 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBFInternational RectifierMOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFInfineonN-кан. MOSFET 55V, 135A, 4.7мОм, 200Вт, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 150nC
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=75A , Rds=4.7m R).... Транзистори Корпус: D2Pak Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805SPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2805SPBF - IRF2805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.48 EUR
100+3.1 EUR
800+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF2805STRLPBF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.19 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2805STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 135 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807
Produktcode: 23680
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 0.013
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 115533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.07 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.56 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.8 EUR
97+1.5 EUR
107+1.33 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+1.56 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
10000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFIRF2807PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 115534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.81 EUR
97+1.46 EUR
107+1.28 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
47+1.53 EUR
54+1.33 EUR
60+1.2 EUR
100+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBF
Produktcode: 88517
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT
verfügbar: 89 St.
  • 6 St. - stock Köln
  • 83 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.88 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 4441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.29 EUR
50+2.09 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807S-111
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBF
Produktcode: 3880
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBFInternational RectifierN-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBF
Produktcode: 203787
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.66 EUR
1600+1.54 EUR
2400+1.47 EUR
4000+1.4 EUR
5600+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.97 EUR
100+2.04 EUR
500+1.66 EUR
800+1.54 EUR
2400+1.5 EUR
4800+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.85 EUR
42+1.72 EUR
53+1.37 EUR
100+1.26 EUR
250+1.12 EUR
500+1.03 EUR
800+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInternational RectifierN-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, D2PAK-3 (TO-263-3) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 6741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.93 EUR
10+3.18 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRPBFIR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF2807STRRPBF
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807Z
Produktcode: 46772
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A Automotive 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 223000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.03 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.62 EUR
10000+1.42 EUR
100000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBF
Produktcode: 58174
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.03 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.03 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInternational RectifierN-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.18 EUR
64+2.25 EUR
100+1.6 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.03 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.03 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.8 EUR
100+2.01 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZS
Produktcode: 186277
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.45 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.96 EUR
10000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+2.94 EUR
100+2.13 EUR
800+1.88 EUR
2400+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]