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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
R6030KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6030KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
52+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.13 EUR
10+7.12 EUR
100+6.51 EUR
500+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.5 EUR
30+10.23 EUR
120+8.64 EUR
510+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.68 EUR
10+8.69 EUR
100+6.87 EUR
600+6.83 EUR
1200+6.81 EUR
3000+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.98 EUR
20+8.72 EUR
50+8.51 EUR
100+7.06 EUR
200+6.64 EUR
500+6.12 EUR
600+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+9.03 EUR
100+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC17ROHMDescription: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.51 EUR
14+17.05 EUR
16+13.6 EUR
50+10.01 EUR
100+9.19 EUR
250+8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.22 EUR
16+11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.52 EUR
25+9.92 EUR
50+9.33 EUR
100+8.82 EUR
250+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.23 EUR
30+10.07 EUR
120+8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.61 EUR
30+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030MNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030MNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030MNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.84 EUR
32+5.51 EUR
50+5.19 EUR
100+4.89 EUR
250+4.68 EUR
500+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030MNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030MNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.63 EUR
25+7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6031435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60327RICOHSOP-8
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.39 EUR
10+9.03 EUR
100+7.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.64 EUR
25+10.97 EUR
50+10.33 EUR
100+9.76 EUR
250+9.32 EUR
500+8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.64 EUR
25+10.97 EUR
50+10.33 EUR
100+9.76 EUR
250+9.32 EUR
500+8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10 EUR
28+8.59 EUR
30+7.26 EUR
50+7.22 EUR
100+7.15 EUR
250+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.37 EUR
30+8.97 EUR
120+7.57 EUR
510+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
30+4.75 EUR
120+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.09 EUR
10+10.01 EUR
100+8.46 EUR
600+8.44 EUR
1200+8.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.98 EUR
25+10.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.57 EUR
25+9.97 EUR
50+9.38 EUR
100+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.65 EUR
10+17.75 EUR
100+14.7 EUR
500+12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+9.37 EUR
100+8.73 EUR
600+8.43 EUR
1200+8.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
30+7.4 EUR
120+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.67 EUR
30+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.22 EUR
10+11.96 EUR
100+9.89 EUR
500+8.6 EUR
1000+7.5 EUR
2000+7.2 EUR
5000+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 38A TO-220AB, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
10+9.21 EUR
100+6.71 EUR
500+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.13 EUR
10+10.17 EUR
25+9.59 EUR
100+8.23 EUR
250+7.77 EUR
500+7.33 EUR
1000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6038YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.27 EUR
25+9.58 EUR
100+6.45 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+8.6 EUR
25+8.13 EUR
100+6.95 EUR
250+6.56 EUR
500+6.18 EUR
1000+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.29 EUR
32+7.4 EUR
100+5.46 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
10+8 EUR
100+6.46 EUR
500+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6038YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.04 EUR
21+11.14 EUR
26+8.51 EUR
50+7.79 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 600V 38A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.84 EUR
10+10.57 EUR
120+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6038YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+10.2 EUR
100+8.51 EUR
600+7.58 EUR
1200+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N32205000JKEMETFilm Capacitors 0.22 U 300VV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3220CK00KKEMETFilm Capacitors 0.22 U 300VV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3330CK00JKEMETFilm Capacitors 0.33 U 300VV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3470AA00JKEMETFilm Capacitors 0.47 U 300VV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3470AA00KKEMETFilm Capacitors 0.47uF 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3470DQ00KKEMETFilm Capacitors 0.47 U 300VV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N35605000JKEMETFilm Capacitors 0.56 uF 105C 0.56 uF 105C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3024 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3680AA00KKEMETDescription: 0.68F 300V
Packaging: Tray
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - DC: 560V
Capacitance: 0.68 µF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603N3680AA00KKEMETFilm Capacitors 0.68uF 300V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603R3470JB00KKEMETFilm Capacitors 0.47uF 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603R3560JB00KKEMETFilm Capacitors 0.56uF 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603R3680JB00KKEMETFilm Capacitors 0.68uF 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603R3680JB00KKEMETDescription: 0.68F 300V
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603R4100AA00KKEMETFilm Capacitors 1uF/10VAC/2V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2880 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603R41505000MKEMETFilm Capacitors 300vac 1.5uF 20%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603W4470AA00KKEMETFilm Capacitors 440.UF 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60400-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60400-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60400-1STRMEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60400-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BLOCK W/METRIC STUDS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60400-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60405-R6161-X037VacuumschmelzeCommon Mode Chokes / Filters CM Choke 1-Phase 2.5A Vertical 12mH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60405-S6123-X216VacuumschmelzeCommon Mode Chokes / Filters CM Choke 3-Phase 16A Horizontal 4.4mH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R60423-53RCPLCC68
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6042353N/A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+19.59 EUR
25+19.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 495W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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R6042JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover
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R6042JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
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