Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFHM4234TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM7194TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM7194TRPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM792TR2PBF | IRFHM792TR2PBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFHM792TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 2.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET | auf Bestellung 20418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM792TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM792TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM792TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM792TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8228TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8228TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 12nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 3047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8235TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V 7.3nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 4910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830DTR2PBF Produktcode: 48693
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFHM830DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830DTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | Infineon | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V | auf Bestellung 7703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Case: PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Power dissipation: 2.7W Drain current: 21A Drain-source voltage: 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms | auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM831TR2PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM831TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 7.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM831TRPBF | Infineon | auf Bestellung 208000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY | auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | IRFHM8326TRPBFXTMA1 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 2676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 3187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 5nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 3.8nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | VBSEMI | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC | auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 2962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | International Rectifier | Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |