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Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 810 Stücke:

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283+	0.62 EUR
323+	0.54 EUR
330+	0.51 EUR
500+	0.42 EUR

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IRFHM9331TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.82 EUR
19+	1.14 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR
2000+	0.48 EUR

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IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1305 Stücke:

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387+	0.45 EUR
500+	0.4 EUR

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IRFHM9331TRPBF

Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори

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IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.44 EUR

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IRFHM9331TRPBF

MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC

auf Bestellung 4807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	0.98 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IRFHM9331TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 18 Stücke:

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IRFHM9391TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IRFHM9391TRPBF

MOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET

auf Bestellung 9800 Stücke:

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IRFHM9391TRPBF

Infineon Technologies Americas Corp.

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 24 Stücke:

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IRFHP8321TRPBF

Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHP8334TRPBF

Infineon Technologies Americas Corp.

Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS8242

Infineon

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IRFHS8242TR2
Produktcode: 99499

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 653/4,3
Montage: SMD

verfügbar: 15 St.

15 St. - stock Köln

1+	0.48 EUR

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IRFHS8242TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V

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IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1735+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1735 Stücke

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IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.44 EUR
24+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.39 EUR
2000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IRFHS8242TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1736+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1736 Stücke

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IRFHS8242TRPBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

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IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 177700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1735+	0.38 EUR
10000+	0.33 EUR
100000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1735 Stücke

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IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	1.23 EUR
229+	0.75 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.46 EUR
2000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

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IRFHS8242TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4084 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1735+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1735 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC

auf Bestellung 3641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.89 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.36 EUR
4000+	0.32 EUR
8000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1736+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1736 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TR2
Produktcode: 99500

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 16 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/4,2
Montage: SMD

verfügbar: 15 St.

15 St. - stock Köln

1+	0.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-6
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

359+	0.49 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 359 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF
Produktcode: 180301

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

347+	0.5 EUR
348+	0.49 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 347 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC

auf Bestellung 3417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR
4000+	0.33 EUR
8000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS8342TRPBFTR

Description: IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS9301

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS9301TR2PBF

Description: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS9301TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS9301TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

auf Bestellung 27455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
194+	1.2 EUR
284+	0.76 EUR
1000+	0.46 EUR
2000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC

auf Bestellung 28042 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.45 EUR
2000+	0.43 EUR
4000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.37 EUR
8000+	0.36 EUR
12000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.4 EUR
8000+	0.39 EUR
12000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	1.06 EUR
230+	0.75 EUR
290+	0.58 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 165 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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4000+	0.4 EUR
8000+	0.38 EUR
12000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

auf Bestellung 27455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
194+	1.2 EUR
284+	0.76 EUR
1000+	0.46 EUR
2000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

auf Bestellung 22252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.27 EUR
23+	0.92 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.46 EUR
2000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9301TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9351

Infineon

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IRFHS9351TR2PBF

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFHS9351TR2PBF
Produktcode: 57893

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 10667 Stücke:

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1430+	0.45 EUR
10000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1430 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

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IRFHS9351TRPBF

MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX

auf Bestellung 6267 Stücke:

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2+	1.84 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.42 EUR
4000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

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438+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 438 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2163 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1430+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1430 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.39 EUR
8000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS9351TRPBF

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.87 EUR
18+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR
2000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

437+	0.39 EUR
2000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 437 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFHS9351TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.58 EUR
200+	0.99 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 110 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHS9351TRPBF

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFI1010G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1010N

N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1010NPBF

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1010NPBF

Description: INFINEON - IRFI1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 49
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1010NPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1010NPBF

Транзистори

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IRFI1010NPBF

MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1010NPBF-IR

Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFI1310

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310N

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310N

N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IRFI1310NPBF
Produktcode: 182563

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 244 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	1.94 EUR
48+	1.81 EUR
50+	1.74 EUR
52+	1.67 EUR
58+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 12927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.71 EUR
63+	2.7 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.59 EUR
2000+	1.42 EUR
5000+	1.24 EUR
10000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 12925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 11077 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.3 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.15 EUR
4000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 132 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 3750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	2.09 EUR
123+	1.4 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 9087 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	1.36 EUR
131+	1.32 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.06 EUR
4000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 128 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.56 EUR
120+	1.44 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

MOSFETs MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC

auf Bestellung 4975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.57 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.52 EUR
2000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 17875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	1.37 EUR
131+	1.32 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.06 EUR
4000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 128 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 10400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.56 EUR
119+	1.44 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.19 EUR
4000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI1310NPBF