Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | VBSEMI | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC | auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM9331 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | International Rectifier | Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC | auf Bestellung 4807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 2962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHP8321TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHP8334TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TR2 Produktcode: 99499
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN2*2 Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V Drain-Strom Idd, A: 8,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 653/4,3 Montage: SMD | verfügbar: 15 St.
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| IRFHS8242TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 177700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC | auf Bestellung 3641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS8342 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8342TR2 Produktcode: 99500
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN2*2 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 8,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 16 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/4,2 Montage: SMD | verfügbar: 15 St.
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| IRFHS8342TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-6 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC | auf Bestellung 3417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF Produktcode: 180301
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS8342TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9301 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9301TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | auf Bestellung 27455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC | auf Bestellung 28042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | auf Bestellung 27455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | auf Bestellung 22252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS9351 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9351TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9351TR2PBF Produktcode: 57893
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 10667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Part Status: Active Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX | auf Bestellung 6267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFI1010G | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFI1010N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFI1010NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |