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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFI9Z14GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 5.3A
auf Bestellung 2262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+2.76 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+0.39 EUR
445+0.38 EUR
449+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9Z24GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
65+3.59 EUR
100+2.89 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.98 EUR
100+2.58 EUR
250+2.24 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 8.5A
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.42 EUR
100+2.84 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GSiliconixP-MOSFET 60V 12A 42W IRFI9Z34G Vishay TIRFI9z34g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34G(Transistor)
Produktcode: 55856
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
50+2.44 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
850+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
60+2.88 EUR
250+2.46 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBF
Produktcode: 42009
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/34
Anmerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.16 EUR
10+4.65 EUR
100+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 12A
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+3.28 EUR
100+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
850+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9Z34GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
111+1.52 EUR
115+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB41N15DInternational RectifierN-MOSFET 150V 41A IRFIB41N15D Infineon TIRFIB41n15d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB41N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB41N15DPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFIB41N15DPBF - IRFIB4115 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65ATO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65A(94-3185)
auf Bestellung 10300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65A-38IR2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 5.1A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.69 EUR
255+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.51 EUR
253+0.67 EUR
255+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60IR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60AVishayN-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIB6N60APBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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700+1.74 EUR
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 80 Stücke:
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34+5.2 EUR
46+3.7 EUR
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IRFIB6N60APBFInternational RectifierТранзистори
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IRFIB6N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.76 EUR
10+6.49 EUR
50+5.08 EUR
100+4.63 EUR
500+3.83 EUR
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IRFIB6N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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46+3.78 EUR
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IRFIB6N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
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1+7.72 EUR
10+4.93 EUR
100+4.25 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.39 EUR
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 44 Stücke:
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29+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIB6N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.62 EUR
41+5.71 EUR
100+4.34 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFIB7N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFIB7N50AVishayN-MOSFET 500V 6.6A 60W IRFIB7N50A Vishay TIRFIB7n50a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFIB7N50AТранзистори
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IRFIB7N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
100+3.22 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
67+2.59 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.46 EUR
42+3.87 EUR
50+3.49 EUR
100+3.08 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.46 EUR
42+4.02 EUR
50+3.68 EUR
100+3.34 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFIB7N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFIB7N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.97 EUR
10+6.63 EUR
50+5.19 EUR
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+4.76 EUR
100+3.92 EUR
1000+3.67 EUR
2000+2.89 EUR
5000+2.81 EUR
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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IRFIB7N50APBFТранзистори
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IRFIB7N50APBF
Produktcode: 47154
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFIB7N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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IRFIB7N60IRTO-220F
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB8N50KIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIB8N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC20GPBF
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IRFIBC20GVishayN-MOSFET 600V 1.7A 30W IRFIBC20G Vishay TIRFIBC20g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay DaleTO220AB (аналог 2SK2761) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
50+3.31 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.43 EUR
5000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIBC30GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBC30GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishayN-MOSFET 600V 2.5A 35W IRFIBC30G Vishay TIRFIBC30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30G
Produktcode: 125659
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+4.66 EUR
25+3.31 EUR
100+3.06 EUR
250+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.42 EUR
250+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRFIBC30GPBF
Produktcode: 127485
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.92 EUR
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