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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF5N90FSCTO220F
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+5.59 EUR
25+5.3 EUR
100+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5N90CFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
972+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 972 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
765+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P10
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 4443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
550+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 3645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20RDTUonsemiMOSFETs PCH 500V 2A MOSFET
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.49 EUR
100+1.67 EUR
500+1.36 EUR
800+1.21 EUR
2400+1.14 EUR
5600+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF5P20RDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.15A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
536+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 536 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
396+1.65 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630FSC09+ TO220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
536+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 536 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630onsemiMOSFETs 200V N-Channel QFET
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.53 EUR
100+1.7 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF630FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
631+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF65N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
57+4.13 EUR
100+3.4 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF65N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF65N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6M90CFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N15ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 5A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N25Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N25ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N25FAIRCHILDFQPF6N25
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
842+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 842 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40C
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFAIRCHILDFQPF6N40C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40CF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFFAIRCHILDFQPF6N40CF
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
680+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N40CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N40CT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N50Fairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N50FAIRCHILDFQPF6N50
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
auf Bestellung 5884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N50FAIRCHILDFQPF6N50
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
509+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 509 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N50CFairchild SemiconductorDescription: 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
458+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60ON SemiconductorFQPF6N60
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60
Produktcode: 48047
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+1.81 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60ConsemiMOSFETs N-CH/600V/6A/QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60CONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
auf Bestellung 5632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
288+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+1.81 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60C_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N60_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N70
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N70ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
349+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N70onsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.68 EUR
50+3.62 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80C
Produktcode: 116791
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 12550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.2 EUR
10000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CONN
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.93 EUR
10+3.86 EUR
100+2.64 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CTonsemiMOSFETs 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80CTONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TonsemiMOSFETs N-CH/800V/6A/QFET
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.43 EUR
10+4.19 EUR
100+2.93 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N80TFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90FAIRCHIL09+ SOP
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90CON-SemiconductorN-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90CONS/FAIМОП-транзистор 900V N-Ch Q-FET advance C-Series Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90C
Produktcode: 167479
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ON SEMICONDUCTORTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,3 Ом
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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FQPF6N90C.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N90C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 2.3 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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