Produkte > IPD

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD13N03LAP
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD144N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD144N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N03Linfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N05infineon04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S2-80Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 17A DPAK-2 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S2-80Infineon TechnologiesDescription: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
334+0.69 EUR
336+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2
Produktcode: 154372
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.63 EUR
283+0.58 EUR
303+0.52 EUR
306+0.5 EUR
322+0.46 EUR
329+0.43 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
145+1.61 EUR
221+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N03Linfineon04+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L-64Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L-64INFINEON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64INFINEON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
50+1.21 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 15885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
159+1.46 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2
Produktcode: 122996
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 47W
Case: DPAK3
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 15885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
159+1.46 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 3117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.19 EUR
100+0.94 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD160N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD160N04LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD16CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD16CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD16CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD16CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD170N04NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10NInfineon
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GInfineon technologies
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
auf Bestellung 6571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+1.58 EUR
100+1.26 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
50+1.63 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.65 EUR
116+1.48 EUR
132+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.01 EUR
10000+0.92 EUR
15000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.65 EUR
116+1.44 EUR
132+1.21 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GBTMA1
Produktcode: 144724
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.8 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
87+2.69 EUR
127+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.08 EUR
82+2.03 EUR
116+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.08 EUR
82+2.08 EUR
116+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD18DP10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
127+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1928497938-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+4.82 EUR
403+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1928497939-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+35.31 EUR
45+32.52 EUR
300+31.25 EUR
800+29.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1928497941-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 3WAY EF01-SEAL MARKING 2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+5.57 EUR
324+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1479ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
133+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.9 EUR
98+1.74 EUR
116+1.44 EUR
200+1.32 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.05 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
88+2.64 EUR
133+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 4454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.03 EUR
100+1.44 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
2500+0.87 EUR
10000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3 GInfineon
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.81 EUR
50+3.62 EUR
100+3.42 EUR
250+3.24 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.98 EUR
2500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 6859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.64 EUR
100+2.24 EUR
500+2.03 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.82 EUR
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 22610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+3.83 EUR
50+2.94 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 32315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.82 EUR
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.94 EUR
42+3.97 EUR
45+3.61 EUR
100+2.88 EUR
250+2.61 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.92 EUR
7500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 32315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
64+3.64 EUR
100+2.59 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.94 EUR
42+4.07 EUR
45+3.74 EUR
100+3.05 EUR
250+2.82 EUR
500+2.42 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.2 EUR
50+4.58 EUR
100+4.11 EUR
200+3.96 EUR
500+3.49 EUR
1000+3.14 EUR
2000+2.8 EUR
2500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44  [ Nächste Seite >> ]