Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPP200N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 77 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V | auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 4489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 77 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 150V 50A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3 On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3 G | Infineon | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP200N25N3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon | IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3 G MOSFET N-CH. 250V, 64A, 300W, TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V | auf Bestellung 1083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 87500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 457 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP21N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO-220 Supplier Device Package: PG-TO220-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFD | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 61A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 18880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7076 pF @ 125 V | auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3 | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS FD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP22N03S4L-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A TO220-3 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP22N03S4L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3G | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP230N06L3G - IPP230N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP230N06L3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | auf Bestellung 9620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP230N06L3GXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP230N06L3GXKSA1 - IPP230N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP25N06S325XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3 Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP25N06S3L-22 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP260N06N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP260N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP26CN10N G | INF | TO-220 | auf Bestellung 39500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP26CN10NG | infineon | 08+ | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP26CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP26CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP319N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 100V Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP319N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3 G | Infineon | auf Bestellung 103500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP320N20N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP320N20N3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA | Infineon | IPP320N20N3GXKSA1 Single N-Channel 200 V 32 mOhm 22 nC OptiMOS Power Mosfet - TO-220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 15304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm | auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 2254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 15310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 Produktcode: 192733
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP339N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | auf Bestellung 2329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP339N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP35CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
