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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD44H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 5316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+1.44 EUR
75+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 6780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.75 EUR
233+0.71 EUR
525+0.62 EUR
1050+0.54 EUR
2025+0.5 EUR
5025+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 85, hFE = 40@ 4А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 26425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.08 EUR
178+0.89 EUR
525+0.73 EUR
1050+0.58 EUR
2025+0.54 EUR
5025+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON-SemiconductorNPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
178+1.31 EUR
200+1.07 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
75+1.19 EUR
150+1.07 EUR
525+0.88 EUR
1050+0.81 EUR
2025+0.74 EUR
5025+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.55 EUR
525+1.37 EUR
1050+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 26424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.08 EUR
177+0.96 EUR
178+0.94 EUR
525+0.76 EUR
1050+0.63 EUR
2025+0.6 EUR
5025+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G
Produktcode: 118488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
99+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
816+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 816 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
160+1.34 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.15 EUR
130+1.27 EUR
210+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
816+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 816 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.37 EUR
100+0.86 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
100+2.32 EUR
160+1.34 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.46 EUR
100+0.95 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.32 EUR
210+0.81 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11LT4
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11Q-13Diodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor In TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
69+1.24 EUR
79+1.09 EUR
98+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGON Semiconductor
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
123+1.89 EUR
188+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 7669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.57 EUR
100+1.02 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGOn SemiconductorNPN, 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
123+1.89 EUR
188+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.71 EUR
3600+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
235+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 337500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 337500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
235+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.42 EUR
87+0.99 EUR
121+0.7 EUR
141+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 11113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.4 EUR
431+0.39 EUR
439+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.55 EUR
114+2.05 EUR
161+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.42 EUR
418+0.39 EUR
424+0.38 EUR
431+0.36 EUR
439+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
114+2.05 EUR
161+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 18413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
182+0.92 EUR
241+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
182+0.93 EUR
241+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
135+1.73 EUR
206+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
101+1.69 EUR
250+1.65 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.67 EUR
178+0.93 EUR
243+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.96 EUR
243+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.74 EUR
100+1.61 EUR
101+1.54 EUR
250+1.46 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
206+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
84+1.02 EUR
93+0.93 EUR
103+0.83 EUR
120+0.71 EUR
135+0.63 EUR
250+0.52 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.44 EUR
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MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4G Transistor
Produktcode: 72049
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MJD44H11T4GMJD45H11T4G
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MJD44H11T5onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD44H11T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
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MJD44H11T5GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD44H11T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD44H11TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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MJD44H11TFonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD44H11TMFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MJD44H11TMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJD44H11TMonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MJD44H11TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD44H11TM
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD44H11TM(Transistor)
Produktcode: 60487
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MJD44H11TM-ONonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252-3
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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MJD45C-TPMicro Commercial ComponentsMJD45C-TP
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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MJD45H11GOODWORKDescription: PNP 8A 80V 20W TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11ONS/FAIPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (SMD) Транзистори
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MJD45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
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MJD45H11
Produktcode: 31170
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
Grenzfrequenz fT, MHz: 40 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 80 V
Strom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21, max: 40
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1+0.68 EUR
10+0.5 EUR
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MJD45H11FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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