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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1305DL-T1/LBOVISHAY
auf Bestellung 102200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1305DL-TI-E3
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SI1305EDL
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SI1305EDL-T1SI
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SI1305EDL-T1-E3VISHAY09+
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SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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SI1305EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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SI1305LT-T1-E3
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SI1305SL-T1
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SI1306DL
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SI1307
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SI1307DLSI02+ SOT-323
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SI1307DL-T1VISHAYSOT23-3
auf Bestellung 5926 Stücke:
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SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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SI1307DL-T1-E3
auf Bestellung 2197 Stücke:
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SI1307DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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SI1307DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1307EDLSI02+ SOT-23-6
auf Bestellung 39999 Stücke:
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SI1307EDL-T1
auf Bestellung 18000 Stücke:
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SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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SI1307EDL-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1307EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1307EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1307EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1307EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT323
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT323 N-CH 30V 1.4A
auf Bestellung 46350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
auf Bestellung 9395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI1308EDL-T1-BE3. - MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 60913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3MOSFET 30V 1.5A, SOT-323-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI13132CNQFN
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 400mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 4 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1315DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 400mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 800mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1315DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V .9A .4W
auf Bestellung 5365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-BE3VishayP-Channel 20 V MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT323 P-CH 20V 1.4A
auf Bestellung 124546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
35+0.61 EUR
100+0.4 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-3
auf Bestellung 46668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.64 EUR
100+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 272 @ 10, Qg, нКл = 6,5, Rds = 150 мОм, Ugs(th) = 0,8 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -50...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 33885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
auf Bestellung 24296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
30+0.71 EUR
100+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI132C-03200Утримувач Sim картки з металевою кришкою, на заміну SI46C HOLDER
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 60V
auf Bestellung 32017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.7 EUR
100+0.52 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 25734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-3
auf Bestellung 6245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.45 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-3
auf Bestellung 21968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.84 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1344SILICONIX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI134C-03200Утримувач MicroSim картки з відкидною металевою кришкою, 6 контактів, на заміну SI35C HOLDER
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI13512CT128
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI13531ACNU
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DCVISHAY
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1VISHAY
auf Bestellung 6838 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
auf Bestellung 6432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
auf Bestellung 6432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1400DL-TIVZSHAY2003
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401DY-T1
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1VISHAY
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 12V 4A
auf Bestellung 53926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si1401EDH-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 11564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 21900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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