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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIR6W-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 220VAC; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 220V AC
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 0.05A / 36V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6W
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 88.6x6.2x76mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6W-220-240VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC; 220V DC
Contact material: AgSnO2
Contact current max.: 6A
Current rating: 6A
Relay variant: Relay set
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Coil power consumption: 860mW
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -40...70°C
Contacts configuration: SPDT
Operate time: 20ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Coil voltage max.: 240V AC; 240V DC
Release time: 25ms
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.74 EUR
10+16.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6W-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6W-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6W-24VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/280VAC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 30ms
Coil power consumption: 300mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Switched voltage: max. 280V AC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6W-24VDC-R Ausgang: Kontakt 1C/O 6A 250VAC
Produktcode: 167067
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Relais
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-110-125VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Coil voltage min.: 110V AC; 110V DC
Current rating: 6A
Coil power consumption: 700mW
Coil voltage max.: 125V AC; 125V DC
Release time: 25ms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-110-125VAC/DC-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 110VAC,110VDC; 100mA; 100mA
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 110V AC; 110V DC
Max. operating current: 0.1A
Contact current max.: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6WB
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-220-240VAC-10RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; for DIN rail mounting; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC
Relay variant: Relay set
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -40...55°C
Contacts configuration: SPST
Coil voltage max.: 240V AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 220VAC; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 220V AC
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6WB
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-220-240VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC; 220V DC
Contact material: AgSnO2
Contact current max.: 6A
Current rating: 6A
Relay variant: Relay set
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Coil power consumption: 860mW
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -40...55°C
Contacts configuration: SPDT
Operate time: 20ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Coil voltage max.: 240V AC; 240V DC
Release time: 25ms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-24VDC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; Ucoil: 24VDC; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; 100mΩ
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Relay variant: Relay set
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Coil power consumption: 400mW
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Current rating: 6A
Operating temperature: -40...70°C
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
IP rating: IP20
Operate time: 8ms
Release time: 10ms
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-24VDC-RAltech CorporationDescription: INTERFACE RELAY, SPDT, 6A
Packaging: Bulk
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+29.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR6WB-24VDC-RAltechIndustrial Relays Interface relay, SPDT, 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR72003FOOB2
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR72104F00B200EPSON06+
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR72104FOOB1EPSON2010+ QFP
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR72105FOA21
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR72805F00A1EPSONQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR72805FOOA1EPSON
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR747DP-T1-GE3
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR770DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
6000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR788DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR798DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 8460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.56 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 8111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
69+3.39 EUR
101+2.14 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
auf Bestellung 8266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
134+1.74 EUR
202+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.54 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
134+1.74 EUR
202+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
auf Bestellung 3969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.02 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.53 EUR
100+1.87 EUR
500+1.76 EUR
6000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-GE3VishayMOSFET 20V 50A N-CH MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR802DP-T1-GE3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR802DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts
auf Bestellung 3595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR804DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 14688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.28 EUR
100+2.53 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.32 EUR
3000+2.2 EUR
6000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR804DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.53 EUR
50+3.5 EUR
100+3.17 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR804DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR808DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR812DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR814DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR818DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR818DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volts 50 Amps 69 Watts
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR818DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR818DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
11+2 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR820DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR820DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 27.5W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR820DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADPVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.26 EUR
3000+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
55+4.25 EUR
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.95 EUR
6000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
auf Bestellung 25625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.16 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.11 EUR
6000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
77+3.03 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
auf Bestellung 23655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 25019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.45 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
auf Bestellung 12921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.3 EUR
100+3 EUR
500+2.64 EUR
3000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 21.3A
auf Bestellung 79099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.08 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
74+3.15 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
auf Bestellung 21884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR836DP-T1-E3
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
150+1.55 EUR
220+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 14397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.61 EUR
315+0.54 EUR
317+0.51 EUR
355+0.44 EUR
356+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
150+1.55 EUR
220+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 14397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.49 EUR
358+0.48 EUR
360+0.46 EUR
362+0.45 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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