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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFIB7N60IRTO-220F
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC20GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishayN-MOSFET 600V 1.7A 30W IRFIBC20G Vishay TIRFIBC20g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.56 EUR
10+2.8 EUR
100+2.53 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay DaleTO220AB (аналог 2SK2761) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.14 EUR
50+3.33 EUR
100+2.74 EUR
500+2.32 EUR
1000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30G
Produktcode: 125659
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishayN-MOSFET 600V 2.5A 35W IRFIBC30G Vishay TIRFIBC30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBC30GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.03 EUR
250+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.92 EUR
25+2.78 EUR
100+2.57 EUR
250+2.53 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.96 EUR
189+0.72 EUR
192+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF
Produktcode: 127485
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
50+2.56 EUR
100+2.19 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40G
Produktcode: 83096
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishayN-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLC
auf Bestellung 11750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.31 EUR
25+3.41 EUR
100+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.89 EUR
55+2.61 EUR
100+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBC40GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.84 EUR
55+2.63 EUR
100+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.83 EUR
10+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+2.78 EUR
100+2.09 EUR
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IRFIBE30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIBE30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFIBE30GVishayN-MOSFET 800V 2.1A 35W IRFIBE30G Vishay TIRFIBE30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFIBE30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFIBE30G
Produktcode: 37892
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 02.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.4 EUR
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IRFIBE30G-103IRTO-220F
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G-LF33(94-5741)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.6 EUR
60+2.42 EUR
100+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+3.22 EUR
100+2.68 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.24 EUR
2000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.08 EUR
72+2.03 EUR
100+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.15 EUR
50+4.57 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFTO220-ISO Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFIBE30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.49 EUR
126+1.14 EUR
128+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.94 EUR
99+1.44 EUR
126+1.08 EUR
128+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFIBF20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
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IRFIBF20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBF20GPBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.46 EUR
32+2.3 EUR
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.91 EUR
10+3.1 EUR
100+2.8 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.16 EUR
100+1.97 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.47 EUR
100+2.32 EUR
250+2.18 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.17 EUR
68+2.09 EUR
100+1.86 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.87 EUR
50+2.13 EUR
100+2.12 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.7 EUR
87+1.66 EUR
89+1.59 EUR
100+1.55 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.64 EUR
91+1.55 EUR
100+1.43 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30G
Produktcode: 52686
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishayN-MOSFET 900V 1.9A 35W IRFIBF30G Vishay TIRFIBF30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+3.84 EUR
100+3.48 EUR
500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
50+4.48 EUR
100+3.84 EUR
500+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBG20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIR21084SPBF IR21084SPBFInternational RectifierHalf Bridge Driver, Soft Turn-On, All High Voltage Pins on One Side in Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIRF7314PBFInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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