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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+4.66 EUR
25+3.31 EUR
100+3.06 EUR
250+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.42 EUR
250+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40G
Produktcode: 83096
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.83 EUR
10+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishayN-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLC
auf Bestellung 11750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A; 40W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBC40GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.45 EUR
47+5.03 EUR
100+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
25+4.06 EUR
100+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.57 EUR
55+3.13 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
55+3.11 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+3.03 EUR
100+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GVishayN-MOSFET 800V 2.1A 35W IRFIBE30G Vishay TIRFIBE30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G
Produktcode: 37892
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 2,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G-103IRTO-220F
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G-LF33(94-5741)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
100+2.99 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel Power MOSFET 2.1A, 800V, 78nC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+4.3 EUR
100+3.67 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.06 EUR
2000+2.89 EUR
5000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.28 EUR
10+6.14 EUR
50+4.8 EUR
100+4.37 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBF20GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
50+3.67 EUR
100+3.32 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+3.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
5000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
100+2.34 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
100+2.76 EUR
250+2.59 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFIBF20GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.07 EUR
45+5.27 EUR
46+4.74 EUR
50+4.61 EUR
100+4.5 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.77 EUR
68+2.49 EUR
100+2.21 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.02 EUR
87+1.98 EUR
89+1.89 EUR
100+1.84 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
91+1.84 EUR
100+1.7 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRFIBF20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFIBF30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIBF30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIBF30GVishayN-MOSFET 900V 1.9A 35W IRFIBF30G Vishay TIRFIBF30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFIBF30G
Produktcode: 52686
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.93 EUR
50+4.62 EUR
100+4.2 EUR
500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFIBF30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
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IRFIBF30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFIBF30GPBFTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIBG20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIR21084SPBFInternational RectifierIRFIR21084SPBF IR21084SPBF Half Bridge Driver, Soft Turn-On, All High Voltage Pins on One Side in Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIRF7314PBFInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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IRFIRL60B216International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFIZ14G
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFIZ14GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 8A
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2 EUR
100+1.61 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
50+1.43 EUR
100+1.4 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24EInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GInfineon / IR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIZ24GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
94+2.49 EUR
105+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.39 EUR
100+1.96 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NInternational RectifierN-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NInternational RectifierN-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24N
Produktcode: 13471
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FULL
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
444+1.48 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBFInfineonIRFIZ24NPBF MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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