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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFIB7N50APBFТранзистори
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IRFIB7N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+4.76 EUR
100+3.92 EUR
1000+3.67 EUR
2000+2.89 EUR
5000+2.81 EUR
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IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBF
Produktcode: 47154
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
100+3.22 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.97 EUR
10+6.63 EUR
50+5.19 EUR
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
67+2.59 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.46 EUR
42+3.87 EUR
50+3.49 EUR
100+3.08 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N60IRTO-220F
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB8N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishayN-MOSFET 600V 1.7A 30W IRFIBC20G Vishay TIRFIBC20g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC20GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay DaleTO220AB (аналог 2SK2761) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
50+3.31 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBC30GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30G
Produktcode: 125659
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GVishayN-MOSFET 600V 2.5A 35W IRFIBC30G Vishay TIRFIBC30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
189+0.86 EUR
192+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+4.66 EUR
25+3.31 EUR
100+3.06 EUR
250+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF
Produktcode: 127485
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.42 EUR
250+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
50+3.05 EUR
100+2.61 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishayN-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40G
Produktcode: 83096
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.83 EUR
10+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLC
auf Bestellung 11750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GLCPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
55+3.11 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBC40GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.45 EUR
47+5.03 EUR
100+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
25+4.06 EUR
100+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.57 EUR
55+3.13 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+3.31 EUR
100+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBFVISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G
Produktcode: 37892
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 2,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GVishayN-MOSFET 800V 2.1A 35W IRFIBE30G Vishay TIRFIBE30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G-103IRTO-220F
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30G-LF33(94-5741)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
100+2.99 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.12 EUR
30+2.84 EUR
35+2.43 EUR
50+2.01 EUR
100+1.94 EUR
250+1.86 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.47 EUR
10+6.27 EUR
50+4.9 EUR
100+4.46 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBF20GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
91+1.84 EUR
100+1.7 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
10+3.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.42 EUR
43+5.5 EUR
44+4.95 EUR
50+4.84 EUR
100+4.69 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
100+2.34 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
100+2.76 EUR
250+2.59 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.77 EUR
68+2.49 EUR
100+2.21 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
50+2.53 EUR
100+2.52 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.02 EUR
87+1.98 EUR
89+1.89 EUR
100+1.84 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishayN-MOSFET 900V 1.9A 35W IRFIBF30G Vishay TIRFIBF30g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30G
Produktcode: 52686
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
50+5.33 EUR
100+4.57 EUR
500+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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