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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD6632ONS/FAIPower MOSFET, N Channel, 30 V, 9 A, 0.058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
auf Bestellung 17099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635onsemiMOSFETs 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+1.81 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635ONS/FAITrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK, TO-252 Транзистори
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FDD6635onsemi / FairchildMOSFET 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635onsemiDescription: MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.05 EUR
102+2.27 EUR
111+1.94 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.46 EUR
142+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.25 EUR
50+0.93 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDD6637ONS/FAIMOSFET P-CH 35V 13A DPAK Транзистори
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FDD6637onsemiMOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 6604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
102+2.27 EUR
111+1.94 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637
Produktcode: 86650
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Drain-Source-Spannung Uds, V: 35 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2370/45
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.62 EUR
10+0.75 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.13 EUR
250+1.42 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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FDD6637ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.83 EUR
122+1.42 EUR
142+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 4037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
50+2.02 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-SB82222onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644F054FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644F40FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670Aonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
auf Bestellung 8347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.96 EUR
100+1.4 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
104+2.24 EUR
146+1.48 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.05 EUR
172+1.02 EUR
174+0.99 EUR
194+0.87 EUR
250+0.86 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
170+1.01 EUR
172+0.96 EUR
174+0.92 EUR
194+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 48828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
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FDD6670AL-NLFairchild
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AL_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670AL_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AL_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 3176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ASFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
416+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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FDD6670A_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
auf Bestellung 47486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6672Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 65A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6672AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
auf Bestellung 8182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676AFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
auf Bestellung 209310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676AS_NLFAIRCHILD06+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676F40FAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676MFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 15 V
auf Bestellung 10684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
284+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 10600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 19900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 147500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 18996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 10934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6680A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 204395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 11381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 145568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASonsemi / FairchildMOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASFairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
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528+1.14 EUR
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FDD6680ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDD6680ASFairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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450+1.49 EUR
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FDD6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
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FDD6680ASNLFAIRCHILD
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FDD6680AS_NL
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FDD6680AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
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FDD6680A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 95 MO, DPAK, T
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FDD6680A_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
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228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
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FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 10176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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FDD6680SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
auf Bestellung 31202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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