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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD6530Aonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6530AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD6530A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V/8V, 32/47MO, NCH, SINGLE, DPAK, 240A GOX, PTI
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD6530A_Qonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
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FDD6530A_Tonsemi / FairchildMOSFET
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FDD6606FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD6606onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6606ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6606 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 214667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
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FDD6606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
auf Bestellung 214667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
419+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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FDD6606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6606_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDD6612FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 262679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
598+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 598 Stücke
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FDD6612Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
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FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
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FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
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FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 56989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
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FDD6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
567+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 567 Stücke
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FDD6612A..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD6612A_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.04 EUR
172+0.98 EUR
174+0.93 EUR
236+0.65 EUR
250+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6630Afairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6630AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 4207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6632fairchildto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6632ONS/FAIPower MOSFET, N Channel, 30 V, 9 A, 0.058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 17099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635onsemi / FairchildMOSFET 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+1.76 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635onsemiMOSFETs 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635ONS/FAITrans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK, TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6635onsemiDescription: MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 7124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
113+1.9 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
142+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.62 EUR
42+2.06 EUR
47+1.82 EUR
65+1.33 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637
Produktcode: 86650
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Drain-Source-Spannung Uds, V: 35 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2370/45
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.62 EUR
10+0.75 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ONS/FAIMOSFET P-CH 35V 13A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 7124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
79+2.98 EUR
113+1.9 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637onsemiMOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
250+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.74 EUR
126+1.33 EUR
127+1.27 EUR
142+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637UMWDescription: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637-SB82222onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644F054FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644F40FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6644SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670FAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
104+2.24 EUR
146+1.48 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670Aonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
auf Bestellung 8347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.96 EUR
100+1.4 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
172+1 EUR
174+0.96 EUR
194+0.84 EUR
250+0.83 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.07 EUR
170+0.99 EUR
172+0.94 EUR
174+0.89 EUR
194+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 48828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALFSC09+
auf Bestellung 32208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AL-NLFairchild
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AL_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670AL_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670AL_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 3176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670ASFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6670A_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
416+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 416 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670A_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 47486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6670SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6672AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
auf Bestellung 69410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6672AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6672Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDD6672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 65A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD6676Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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FDD6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
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FDD6676FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FDD6676AFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
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FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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