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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK13J65U(F)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 13A 650V 170W 950pF 0.38
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK13J65U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO-3PN
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK13P25D,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK13P25D,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
16+1.38 EUR
100+1.07 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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TK13P25D,RQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.24 EUR
100+1.11 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.68 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK13P25D,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TK13P25D,RQ(SToshiba
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TK13P25D,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 96W
Gate charge: 25nC
auf Bestellung 1613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.86 EUR
4000+0.8 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK13P25D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
154+1.51 EUR
189+1.14 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.87 EUR
4000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK13P25D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
verfügbar 20 Stücke:
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TK13P25D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
154+1.51 EUR
189+1.14 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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TK13P25DRQ(SToshibaMOSFETs
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TK14023M (TC)Description: COLLEGE DORM TAPE KIT
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TK1402A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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 Mindestbestellmenge: 2040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1405800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 14P SIDE ENTRY 5MM PCB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
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 Mindestbestellmenge: 2040 Stücke
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TK14489MTLTOKOSOP
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14521MTL
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14551VTLTOKO00+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14552VTOKO02+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14552VTL-1
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14570LTLTOKO
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14570LTL-GTOKO10+ SOT-23
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14571TOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14581MTLTOKO1995
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14583VTLTOKO
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14588VTLTOKOTSSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14588VTL-GTOKOTSOP16
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14620MTL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK14A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
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TK14A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 450V 45W 1800pF 0.34
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TK14A45DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A45DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13.5A 450V 45W 1550pF 0.41
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TK14A55DToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.88 EUR
10+4.05 EUR
100+3.64 EUR
500+3 EUR
1000+2.95 EUR
2500+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+5.46 EUR
100+3.71 EUR
500+3.17 EUR
2500+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
50+4.64 EUR
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65WS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W,S1QToshibaMOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W5,S1QToshibaMOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W5,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
36+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65WS1X(SToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65WToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.65 EUR
100+3.25 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+3.42 EUR
100+3.01 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.1 EUR
32+5.39 EUR
34+4.88 EUR
50+4.36 EUR
100+3.8 EUR
250+3.13 EUR
500+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
49+4.81 EUR
100+3.08 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.1 EUR
32+5.51 EUR
34+5.07 EUR
50+4.61 EUR
100+4.12 EUR
250+3.49 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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TK14G65W5ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQ(SToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
73+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5RQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65WRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.39 EUR
10+5.32 EUR
120+4.69 EUR
510+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1F(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
52+4.55 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5S1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65WS1F(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH