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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK14571TOKO
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14581MTLTOKO1995
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14583VTLTOKO
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14588VTLTOKOTSSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14588VTL-GTOKOTSOP16
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14620MTL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 450V 45W 1800pF 0.34
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A45DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A45DA(STA4,QM)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 13.5A 450V 45W 1550pF 0.41
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A55DToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.08 EUR
10+5.3 EUR
100+3.94 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.06 EUR
2500+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 40W
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+5.46 EUR
100+4.06 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.17 EUR
2500+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
50+4.64 EUR
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W5S5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65WS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W,S1QToshibaMOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W5,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14C65W5,S1QToshibaMOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
36+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65W5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14E65W5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14E65WS1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+5.81 EUR
100+4.32 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.65 EUR
100+3.25 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.97 EUR
32+5.27 EUR
34+4.77 EUR
50+4.26 EUR
100+3.71 EUR
250+3.06 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.97 EUR
32+5.39 EUR
34+4.95 EUR
50+4.5 EUR
100+4.02 EUR
250+3.4 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
52+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK14G65W5,RQToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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TK14G65W5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK14G65W5,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
73+3.18 EUR
100+2.87 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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TK14G65W5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14G65W5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TK14G65W5,RQ(SToshibaMOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK Транзистори
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TK14G65W5RQ(SToshibaMOSFETs
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TK14G65WRQ(SToshibaMOSFETs
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TK14N65WToshibaToshiba
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TK14N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+7.02 EUR
120+5.3 EUR
510+4.11 EUR
1020+3.8 EUR
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TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK14N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK14N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
52+4.55 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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TK14N65W,S1F(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
30+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK14N65W5,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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TK14N65W5S1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65WS1F(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14V65W,LQToshibaPb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14V65W,LQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.14 EUR
10+6.75 EUR
100+4.82 EUR
500+4 EUR
1000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.15 EUR
500+3.34 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.57 EUR
33+7.19 EUR
100+4.15 EUR
500+3.34 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15 DC8-80V 50A
Produktcode: 138009
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1500-NP/C/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.00" 5 WIRE RESISTIVE
Packaging: Box
Interface: DVI, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1024 x 768
Diagonal Screen Size: 15.00" (381.00mm)
Touchscreen: 5 Wire Resistive
Part Status: Active
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+622.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15021MTLTOKO94 SOP
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1505800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 15P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 15
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15062ZCBX
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK150E09NE,S1Q(ASToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK150E09NE,S1Q(BSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK150E09NE,S1Q(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK150X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT XGA TFT LCD 15.0"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK150X03Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 15.0" XGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK150X03-002Kyocera International, Inc.Description: EVAL BOARD FOR T-51863
Packaging: Bulk
Function: LCD Display
Type: Display
Utilized IC / Part: T-51863
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Primary Attributes: 15" 1024x768 XGA
Part Status: Active
Secondary Attributes: With Controller Board with On Screen Display
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1991.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15121MTLTOKO
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15121MTL SOT23L-6-121TOKO
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15121MTLSOT23L-6-121
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1512SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 12m
Core section: 0.55mm2
Number of cores: 1
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Version: mono
Kind of core: OFC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15210MTLTOKO
auf Bestellung 6323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15321MTL
auf Bestellung 8360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15325MTLTOKO03+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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