Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IRFP4368PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4368PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF Produktcode: 34958
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 75 Idd,A: 350 Rds(on), Ohm: 0.00146 Ciss, pF/Qg, nC: 19230/570 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V | auf Bestellung 1333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 3177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 3178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440 | IR | TO-247 | auf Bestellung 18950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP440 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | auf Bestellung 1322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP440 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 8.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4410Z | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4410Z Produktcode: 99504
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 100 Idd,A: 69 Rds(on), Ohm: 7.2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4820/83 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4410ZPBF | International Rectifier | TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFP4468PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBF Produktcode: 36929
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 100 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm JHGF: THT | auf Bestellung 119 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 4458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4468PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP448 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP448 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP448PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP448PBF | VISHAY | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 11A N-CH MOSFET | auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP450 Produktcode: 7939
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Lieblingsprodukt
| ST | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 500 Idd,A: 14 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP450 | Vishay | N-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP450 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP450 | IXYS | MOSFETs 500V 14A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450 | Siliconix | N-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP450 | STMicroelectronics | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450-E | IR | TO-247 | auf Bestellung 5225 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450-LF20(94-5598) | auf Bestellung 5075 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP450?94-5598? | IR | TO-247 | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450A | Siliconix | N-MOSFET 14A 500V 190W 0.4Ohm IRFP450A TIRFP450a Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP450APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET | auf Bestellung 2051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP450APBF Produktcode: 23065
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Lieblingsprodukt
| FS | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-3P Uds,V: 500 Idd,A: 14 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 3250/157 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP450B | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel B-FET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450LC | Siliconix | N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP450LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450LC | Vishay Siliconix | TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450LC | Siliconix | N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP450LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP450LCPBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP450LC | Vishay Siliconix | N-MOSFET HEXFET 500V 190W TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
