Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 14782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4004PBF Produktcode: 54267
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 350 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0017 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8920/220 Montage: THT | auf Bestellung: 22 St.
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| IRFP4110 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110 | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4110-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4110PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBF | International Rectifier | TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBF Produktcode: 40699
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150 Montage: THT | erwartet: 100 St.
auf Bestellung: 5 St.
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| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 400 Stücke | verfügbar 40 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 4108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V | auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 4110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110XKMA1 | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4127 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 7493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 1279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 20633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 200V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 7493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4127PBFAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4127PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4127PBFAKMA1 | Infineon Technologies | IRFP4127PBFAKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4137 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4137PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 38A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-247AC | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4137PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38 А, Ptot, Вт = 341, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125 @ 10 В, Rds = 69 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | verfügbar 1 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4137PBF | International Rectifier | Description: IRFP4137 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V | auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4137PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4137PBF - IRFP4137 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 37 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4137PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Транзистори | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4227 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 65 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4227PBF Produktcode: 26521
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 65 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm Montage: THT | auf Bestellung: 19 St.
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| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBF | IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP4227PBF | International Rectifier | TO-247AC, -40 ... +175C, 21mOhm, 65A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4227PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4227PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4228 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4228PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 44A 250V 310W 0.046Ω IRFP4229 TIRFP4229 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4229 Produktcode: 37659
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| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 44 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,46 Ohm Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF Produktcode: 55867
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 44 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4560/72 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP4229PBF | International Rectifier | TO-247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 21571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4229PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4229PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 310W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4232 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4232 | auf Bestellung 6725 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4232PBF | IR | TO-247 | auf Bestellung 491841 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4232PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7290 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.7mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4232PBF Produktcode: 32427
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP4242PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP4242PBF Produktcode: 49664
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 300 V Drain-Strom Idd, A: 46 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,049 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7370/165 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP4310Z | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 134A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4310Z; IRFP4310ZXKMA1; IRFP4310Z TIRFP4310z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4310Z | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
