Produkte > FDS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6961A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A Produktcode: 56779
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6961A | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A-NL | FDS | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6961AZ | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A_F011 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6961A_NL | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 17818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6964S | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi | MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V | auf Bestellung 3894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6975 - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V 6A SOIC, FUL tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 35424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | FAIRCHILD | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 12852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 51mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975 | Fairchild | Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 51mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS6975 TFDS6975 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | FAIRCHILD | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 24494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975 Produktcode: 170481
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDS6975-NL | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDS6975. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 82 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6975A | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDS6975ANL | FAIRCHILD | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6975NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6975_NF073 | onsemi / Fairchild | Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975_NL | FSC | 09+ | auf Bestellung 33418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6975_SBAM003 | ON Semiconductor | Description: IC AUDIO JACK DETECTION | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 N-CH 1&2 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982 | FAIRCHILD | SO-8 | auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982-NL | Fairchild | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6982A | Fairchild | 04+ SOP-8 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982as | ONS/FAI | MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982as | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS Produktcode: 148198
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6982as | Fairchild/ON Semiconductor | Сдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982as | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982as | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6982AS-F095 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS-G | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS-NL | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982ASNL | FAIRCHILD | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6982AS_G | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS_G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH 1&2 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982AS_TG | onsemi / Fairchild | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982S | FAIRCHILD | SO-8 | auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982S Produktcode: 25427
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 8,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| FDS6982S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6982S-NL | FDS | auf Bestellung 89000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6982S_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6982_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 51800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6984 | FAIRCHIL | 00+ SOP | auf Bestellung 3688 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6984A-NL | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDS6984AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6984AS - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 8.5A, SOIC-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1169 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6984AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6984AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6984AS | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6984AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6984S | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6984S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | auf Bestellung 115231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6984S-NL | FDS | 09+ | auf Bestellung 27018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6984S_NL | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 10446 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986 | FAIRCHIL | 00+ SOP | auf Bestellung 3688 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | auf Bestellung 7274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Dual SyncFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986AS-NL | FAIR | SOP8 | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986ASNL | FAIRCHILD | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6986AS_NL | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 1548 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986AS_SN00192 | onsemi | Description: MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, 550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695pF @ 10V, 1233pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 133744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDS6986S-NBBD00 | FAI | 09+ | auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6986S-NL | auf Bestellung 157114 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDS6986SNL | FAIRCHILD | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6989 | FAICHILD | 00+ | auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6990 | FDS | SOP-8 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6990-NL | Fairchild | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6990A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6990A | ONS/FAI | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A SOIC-8 УСТАРЕВШ. Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6990A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6990A | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDS6990A Produktcode: 170942
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDS6990A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 2129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
