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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
auf Bestellung 241200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.04 EUR
100000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6900SFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6902FSCSOP-8
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6909A-NL
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6910ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6910onsemi / FairchildMOSFETs Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910-NLFAIRCHILSOP8
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910-ZonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6910NLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
auf Bestellung 13803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.49 EUR
500+2.21 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911FAIRCHILD09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911NLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6911_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6912 - MOSFET, DUAL, N, SMD, 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 79050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON-SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A
Produktcode: 148756
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.7 EUR
1014+0.64 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.64 EUR
284+0.6 EUR
318+0.51 EUR
320+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
auf Bestellung 8969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.04 EUR
100+0.81 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A-NL
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A_NLFSC09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912NLFAIRCHILD
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6920SFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930FDSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930-NL
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930AONS/FAIНЕ ДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБОТОК Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
595+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 595 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930A_NLFSC09+
auf Bestellung 22448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930BONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930BonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930B
Produktcode: 118461
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930BONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6930Bonsemi / FairchildMOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH
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3+1.57 EUR
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FDS6930BONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDS6930BonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS6930B-NLFairchild
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FDS6930NLFAIRCHILD
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FDS6932SSOP
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FDS6936AFAIRCHILD07+ SO-8
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FDS6947AFAIRCHILD07+ SO-8
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FDS6958A
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FDS6961FDSSOP-8
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FDS6961AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
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FDS6961A
Produktcode: 56779
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS6961AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6961AON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH
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FDS6961AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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FDS6961AONS/FAIТранзистори
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FDS6961AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6961A-NLFDS
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FDS6961AZFAIRCHILD07+ SO-8
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FDS6961A_F011onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDS6961A_NLFAIRCHILD09+
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FDS6964SFAIRCHILD07+ SO-8
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FDS6975ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
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FDS6975ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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123+1.44 EUR
140+1.21 EUR
142+1.15 EUR
152+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
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FDS6975FAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+1.64 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
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FDS6975onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6975ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6975ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6975 - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V 6A SOIC, FUL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35424 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6975onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.62 EUR
25+1.61 EUR
100+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6975ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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FDS6975
Produktcode: 170481
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FDS6975FairchildTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 51mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS6975 TFDS6975
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDS6975FAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24494 Stücke:
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402+1.64 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
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FDS6975onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDS6975onsemiMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
auf Bestellung 5204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
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FDS6975-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6975.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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