Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPP50R199CP | Infineon technologies | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 184 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 | auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R250CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R250CPXKSA1 Produktcode: 185293
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 13A TO220-3 | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R280CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R280CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE | auf Bestellung 839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R280CE | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R299CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon technologies | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon Technologies | Description: COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R350CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R350CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 29 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R380CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 9.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 0.38Ω | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 70500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CP | INF | TO-220 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | Description: IPP50R399 - 500V COOLMOS N-CHANN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 9A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R500CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 7.6A TO220-3 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R500CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R500CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R520CP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP50R520CP | INF | TO-220 | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | auf Bestellung 8144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R520CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 7.1A TO220-3 | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 9318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP530N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP530N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3 G | Infineon | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor | auf Bestellung 4963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R016CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V | auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 135 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 625W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R022S7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
