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SIHFZ48RS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.87 EUR
50+2.95 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFZ48S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+3.26 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.55 EUR
8+31.73 EUR
10+22.09 EUR
50+21.07 EUR
100+20.05 EUR
250+19.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 325A
Gate charge: 228nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.58 EUR
10+18 EUR
100+17.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.08 EUR
25+22.29 EUR
50+20.63 EUR
100+19.25 EUR
500+17.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60E-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG018N60EGE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 99A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 99A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 228nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
25+20.22 EUR
50+18.67 EUR
100+17.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VishayMOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.07 EUR
10+16.29 EUR
100+15.15 EUR
500+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG026N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 95 A, 0.026 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.19 EUR
10+24.81 EUR
13+17.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.36 EUR
25+17.7 EUR
50+16.31 EUR
100+15.16 EUR
500+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.81 EUR
10+14.29 EUR
100+13.68 EUR
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SIHG033N60SF-GE3Vishay SiliconixDescription: SF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG033N60SF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.68 EUR
25+13.91 EUR
50+12.77 EUR
100+11.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.17 EUR
17+10.67 EUR
25+10.19 EUR
50+9.7 EUR
100+9.22 EUR
250+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.17 EUR
17+10.91 EUR
25+10.58 EUR
50+10.25 EUR
100+9.98 EUR
250+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.86 EUR
10+13.53 EUR
100+11.39 EUR
500+9.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 196A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 196A
Gate charge: 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4323 pF @ 100 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.69 EUR
10+17.22 EUR
50+14.02 EUR
100+12.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.76 EUR
11+23.16 EUR
13+17.01 EUR
50+14.01 EUR
100+13.01 EUR
250+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60EF-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG041N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+8.65 EUR
100+6.99 EUR
500+6.21 EUR
1000+5.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG041N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG041N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.18 EUR
10+9.59 EUR
50+7.62 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 51A TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 155A
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
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SIHG050N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 496 Stücke:
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100+9.31 EUR
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SIHG050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
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SIHG050N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 320 Stücke:
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100+5.49 EUR
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SIHG050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
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10+8.45 EUR
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SIHG052N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+7.37 EUR
100+6.77 EUR
500+6.54 EUR
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SIHG052N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
10+10.57 EUR
50+8.43 EUR
100+7.75 EUR
500+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG052N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.2 EUR
18+13.44 EUR
20+10.92 EUR
50+10.2 EUR
100+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SIHG052N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG052N60EF-GE3VishayMOSFET EF SERIES TO-247AC Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG055N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG055N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.77 EUR
17+13.83 EUR
20+10.76 EUR
50+9.72 EUR
100+8.91 EUR
250+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIHG055N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.09 EUR
10+9.91 EUR
100+8.03 EUR
500+6.78 EUR
1000+6.39 EUR
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SIHG055N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
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SIHG065N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+7.63 EUR
100+6.13 EUR
500+5.8 EUR
2500+5.11 EUR
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SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.44 EUR
34+5.08 EUR
50+4.89 EUR
100+4.74 EUR
250+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SIHG065N60E-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 40A TO247AC Транзистори
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SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG065N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+14.97 EUR
19+11.46 EUR
50+9.69 EUR
100+8.87 EUR
250+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.44 EUR
34+4.89 EUR
50+4.63 EUR
100+4.37 EUR
250+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG065N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+8.66 EUR
100+6.97 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 41A TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.92 EUR
24+9.97 EUR
100+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+6.16 EUR
500+5.65 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.22 EUR
10+8.91 EUR
50+7.07 EUR
100+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG075N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.77 EUR
24+9.79 EUR
100+7.28 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG075N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.76 EUR
10+7.87 EUR
100+6.34 EUR
500+5.36 EUR
1000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
25+6.49 EUR
50+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.38 EUR
32+7.33 EUR
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.97 EUR
10+5.26 EUR
100+5.22 EUR
500+4.64 EUR
1000+4.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 96A
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.13 EUR
10+6.78 EUR
100+4.88 EUR
500+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.58 EUR
10+7.76 EUR
100+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG080N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.24 EUR
23+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG085N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.25 EUR
10+8.29 EUR
100+6.05 EUR
500+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+8.38 EUR
100+6.3 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+6.22 EUR
100+5.03 EUR
500+4.83 EUR
1000+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.91 EUR
10+9.39 EUR
100+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 73A
Gate charge: 50nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.45 EUR
36+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG100N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG105N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.28 EUR
10+6.83 EUR
50+5.36 EUR
100+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH