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SISS71DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
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SISS72DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
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SISS72DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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68+2.63 EUR
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SISS72DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
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SISS72DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.32 EUR
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SISS73DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
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63+2.84 EUR
84+2.06 EUR
118+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.77 EUR
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SISS73DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SISS73DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET
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1+3.96 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS73DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
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84+2.14 EUR
118+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.94 EUR
6000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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SISS73DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
auf Bestellung 313 Stücke:
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6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
50+1.95 EUR
100+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS73DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - P-CHANNEL 150-V D-S MOSFET 42AJ0523
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5910 Stücke:
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66+3.82 EUR
75+3.13 EUR
100+2.31 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.88 EUR
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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SISS76LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
130+1.8 EUR
175+1.23 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SISS76LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.6A
auf Bestellung 33804 Stücke:
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1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.98 EUR
185+0.95 EUR
188+0.92 EUR
191+0.88 EUR
250+0.86 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1 EUR
182+0.95 EUR
185+0.89 EUR
188+0.84 EUR
191+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 6250 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
72+3.25 EUR
107+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.52 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 35 V
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.52 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 53.3A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 53.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 35 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DNVishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DNVishayArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 20V (D-S)
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS80DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 210 A, 0.00076 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
auf Bestellung 8283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 169A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -8...12V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
auf Bestellung 5785 Stücke:
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SISS80DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
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SISS862ADN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SISS862ADN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS862ADN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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SISS92DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
auf Bestellung 166 Stücke:
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9+2.48 EUR
10+2.2 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SISS92DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
auf Bestellung 9437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
85+2.76 EUR
125+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS92DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS92DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
auf Bestellung 9437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
125+1.71 EUR
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1000+1.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS92DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
136+1.71 EUR
179+1.2 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.71 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 15.6A; Idm: 25A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain current: 15.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 42.1W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: ThunderFET; TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
136+1.71 EUR
179+1.2 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 24756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.09 EUR
10+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
auf Bestellung 31218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.84 EUR
9000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISSD20M-3R3T
auf Bestellung 3718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISSTV01N/A
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIST-10100
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1013-211-LRT-BLantronix, Inc.Description: IC
Features: LFPT
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SC
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Unmanaged
Configuration: Fixed
Fiber Type: Multimode
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
Distance: 220m, 550m
MTU: Jumbo
Copper Ports: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1013-211-LRT-BLantronixMedia Converters Ind Media Converter, 10/100/1000Base-T to 1000Base-SX, MM SC, Ext Temp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1014-211-LRT-BLantronixMedia Converters Ind Media Converter, 10/100/1000Base-T to 1000Base-LX, SM SC 10km, Ext Temp
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1030.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1014-211-LRT-BLantronix, Inc.Description: IC
Features: LFPT
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SC
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Unmanaged
Configuration: Fixed
Fiber Type: Singlemode
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
Distance: 10km
MTU: Jumbo
Copper Ports: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1040-211-LRT-BLantronix, Inc.Description: UNMANAGED HARDENED MEDIA CONVERT
Features: LFPT
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1
MTU: Jumbo
Copper Ports: 1
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+716.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1040-211-LRT-BLantronixMedia Converters Ind Media Converter, 10/100/1000Base-T to 100/1000Base-X, SFP, Ext Temp
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+715.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1040-242-LRTLantronixEthernet Modules Hardened Unmanaged Switch, 4-port GE , 2 SFP, 12-48VDC, - 40 - 75C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1040-242-LRTLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Voltage - Input: -12V ~ -48V, 12V ~ 48V
Type: Switch - Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 6
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 4
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1040-282-LRTLantronixUnmanaged Ethernet Switches Hardened Unmanaged Switch, 8-port GE , 2 SFP, 12-48VDC, - 40 - 75C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+754.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTG1040-282-LRTLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount
Voltage - Input: -12V ~ -48V, 12V ~ 48V
Type: Switch - Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-342-LRTLantronix, Inc.Description: IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-342-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch, 4-port GE POE+, 2 SFP, 120W POE, 54VDC, - 40 - 75C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+754.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-382-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch, 8-port GE POE+, 2 SFP, 240W POE, 54VDC, - 40 - 75C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-382-LRTLantronix, Inc.Description: UNMANAGED HARDENED ETHERNET POE+
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 48V ~ 57V
Type: Switch - Unmanaged
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 2
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+940.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-382B-LRTLantronix, Inc.Description: IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-382B-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch, 8-port GE PoE+, 2 SFP, 12/24VDC, -40 ? 70C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-382B-LRT-L1Y3LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans THREE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-551-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Hardened Unmanaged Switch 4-port GE PoE++ (1) 10/100/1000Bast-T 1 100/1000 SFP 3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1351.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISTP1040-551-LRTLantronix, Inc.Description: IC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1345.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISU162
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH