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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFPC60PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC60PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.24 EUR
23+10.48 EUR
100+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBF
Produktcode: 113650
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.52 EUR
15+5.75 EUR
25+5.22 EUR
50+4.83 EUR
100+4.55 EUR
125+4.44 EUR
250+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30
Produktcode: 23708
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.93 EUR
10+2.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.56 EUR
42+3.96 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.84 EUR
27+6.4 EUR
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
10+6.47 EUR
100+5.87 EUR
500+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.56 EUR
42+4.05 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.17 EUR
150+1.11 EUR
152+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 48W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE40; IRFPE50 JSMICRO TIRFPE40 JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.4 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.47 EUR
32+5.27 EUR
34+4.81 EUR
100+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFTO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 800V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBF
Produktcode: 47298
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 5,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
10+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.49 EUR
32+5.4 EUR
34+5 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; IRFPE50 TIRFPE50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50
Produktcode: 4823
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 7,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3100/200
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.33 EUR
10+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; IRFPE50 JSMICRO TIRFPE50 JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.16 EUR
25+9.02 EUR
50+8.22 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+7.27 EUR
100+6.2 EUR
500+6.14 EUR
1000+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBF
Produktcode: 47698
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.94 EUR
20+4.44 EUR
25+4.24 EUR
50+4.08 EUR
100+3.84 EUR
125+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFN-CH 800V 7.8A TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 7512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.4 EUR
27+6.5 EUR
100+5.24 EUR
500+4.69 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 7513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.38 EUR
27+6.34 EUR
100+5.03 EUR
500+4.43 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.9 EUR
29+8.1 EUR
100+6.16 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.72 EUR
100+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30IRTO-247
auf Bestellung 12625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPF30PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.96 EUR
10+7 EUR
100+5.76 EUR
500+5.11 EUR
1000+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF30PBF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40
Produktcode: 43468
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Id, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/120
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40-026
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPF40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.7 A, 2.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+9.04 EUR
100+7.41 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.82 EUR
2500+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBFТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF40PBF (TO-247AC, Vishay)
Produktcode: 158468
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 2,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/120
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.82 EUR
10+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50SiliconixTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFPF50 TIRFPF50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50-026
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.77 EUR
23+10.16 EUR
100+6.88 EUR
500+5.27 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.66 EUR
25+7.47 EUR
50+6.99 EUR
100+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.51 EUR
25+8.12 EUR
50+7.43 EUR
100+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.16 EUR
25+9.02 EUR
50+8.22 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.29 EUR
25+7.46 EUR
75+6.46 EUR
100+6.1 EUR
125+5.85 EUR
200+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Gate charge: 200nC
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.24 EUR
14+6.4 EUR
15+5.99 EUR
25+5.46 EUR
75+4.83 EUR
100+4.68 EUR
125+4.56 EUR
200+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 900 V 6.7A 1.6 Ohm TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.51 EUR
25+8.29 EUR
50+7.71 EUR
100+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBF
Produktcode: 41960
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.66 EUR
25+7.32 EUR
50+6.72 EUR
100+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30(MFET,N-CH,125W,1000V,3.1A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPG30PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.2 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.51 EUR
100+3.72 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.83 EUR
2000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.59 EUR
10+4.16 EUR
100+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.73 EUR
74+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.24 EUR
31+2.77 EUR
33+2.65 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.65 EUR
52+3.27 EUR
100+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
50+4.69 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.5 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.4 EUR
100+3.58 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40SiliconixN-MOSFET 43A 1000V(1kV) 150W 3.5Ω IRFPG40 IRFPG40 TIRFPG40
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 1KV 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.4 EUR
10+6.58 EUR
100+5.57 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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