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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFPS38N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60L
Produktcode: 31847
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 38
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7990/320
Bem.: 170 ns
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPS38N60LPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVishay SemiconductorsMOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS38N60LPBFVISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50L Transistor
Produktcode: 56285
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFTO-247SUPER Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N50LPBF(Transistor)
Produktcode: 92432
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFPS40N60KPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KSUPER247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishayIRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.87 EUR
60+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBF
Produktcode: 31848
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 40
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330
Bem.: 110 ns
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishayIRFPS40N60KPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247 - Arrow.com
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS40N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.92 EUR
10+23.83 EUR
25+22.86 EUR
100+20.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KIRFPS43N50K Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBF
Produktcode: 36735
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Uds,V: 500
Idd,A: 47
Rds(on), Ohm: 0.078
Ciss, pF/Qg, nC: 8310/350
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+7 EUR
10+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 47 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8310 @ 25, Qg, нКл = 350 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 28 В, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 540 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SUPER-247(TO-274AA) Од.
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS43N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPS43N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 47 A, 0.078 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 540
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPS4888PBFInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPW4468PBFXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.94 EUR
10+5.05 EUR
100+4.19 EUR
480+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPW4468PBFXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.38 EUR
30+4.72 EUR
120+3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPW4468PBFXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR010PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+1.47 EUR
100+1.32 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 2278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.6 EUR
75+1.48 EUR
150+1.28 EUR
525+1.13 EUR
1050+0.99 EUR
2025+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.25 EUR
73+1.96 EUR
100+1.83 EUR
250+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 50V 8.2A
auf Bestellung 11591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+1.56 EUR
100+1.18 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010PBF-BE3VishaySurface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TM
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRIRSOT252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TR SOT252IR
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR010TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
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IRFR010TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR010TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
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IRFR010TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR010TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
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IRFR010TRSOT252IR
auf Bestellung 24000 Stücke:
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IRFR012IR
auf Bestellung 22000 Stücke:
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IRFR014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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IRFR014SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014TR; IRFR014TRL; IRFR014 TIRFR014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014ATM
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR014N
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.38 EUR
107+1.32 EUR
126+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
75+1.43 EUR
150+1.29 EUR
525+1.09 EUR
1050+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) Standard ).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.08 EUR
166+0.87 EUR
225+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.37 EUR
126+1.15 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N CHAN 60V
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.17 EUR
25+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 7667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+1.37 EUR
100+1.2 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.79 EUR
6000+0.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
75+1.18 EUR
150+1.03 EUR
525+0.94 EUR
1050+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR JSMICRO TIRFR014 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TR
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014-BE3; IRFR014TR; IRFR014TR-BE3; IRFR014TRL; IRFR014TRL-BE3; IRFR014TR-ML MOSLEADER TIRFR014 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
12+1.52 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N CHAN 60V
auf Bestellung 3678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.62 EUR
25+1.61 EUR
100+1.13 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
12+1.55 EUR
100+1.2 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N CHAN 60V
auf Bestellung 21970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.64 EUR
100+1.28 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.41 EUR
100+1.09 EUR
2000+0.96 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1728 Stücke:
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