Produkte > 2N5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5401 Produktcode: 177484
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Diotec | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 Grenzfrequenz fT, MHz: 400 МГц Spannung Uce, V: 150 В Spannung Ucb, V: 160 В Strom Ic, A: 0,6 А Stromverstärkung h21, max: 400 | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | 2N5401 Микросхемы | auf Bestellung 4847 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 150V 625MW 60@10MA,5V 600MA PNP | auf Bestellung 4119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | DIOTEC | Transistor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N5401-AP; 2N5401-DIO; 2N5401 T2N5401 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, VCEO, В = 150, Ic = 0,6 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 400, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, VCEO(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 | Rectron | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 5513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 | auf Bestellung 2541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Collector-emitter voltage: 150V Power dissipation: 0.625/1.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 50...240 Frequency: 100...300MHz Collector current: 0.6A | auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | SLKOR | Transistor PNP; 300; 625mW; 150V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5401BU; 2N5401G; 2N5401 SLKOR T2N5401 SLK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP 0.6A 150V HighVol | auf Bestellung 9483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | DC Components | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 Produktcode: 4034
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Farchild Semiconductor | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 Grenzfrequenz fT, MHz: 400 MHz Spannung Uce, V: 150 V Spannung Ucb, V: 160 V Strom Ic, A: 0,6 A Stromverstärkung h21, max: 400 | verfügbar: 27 St.
|
| ||||||||||||||
| 2N5401 | Rectron | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 5513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 | Lumimax Optoelectronic Technology | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N5401 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 (LEGACY FAIRCHILD) | onsemi | PNP/150V/0.6A/SEL HFE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Central Semiconductor | Silicon PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | auf Bestellung 4468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APP PBFREE | Central Semiconductor | Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 LEAD FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 PB FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 93 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 PB FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp | auf Bestellung 6898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TO-92 bent Produktcode: 209904
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Diotec | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 bent Grenzfrequenz fT, MHz: 400 МГц Spannung Uce, V: 150 В Spannung Ucb, V: 150 В Strom Ic, A: 0,6 А Stromverstärkung h21, max: 400 | auf Bestellung: 1071 St.
|
| ||||||||||||||
| 2N5401 TR | Rectron | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRA | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | auf Bestellung 1726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.3A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 630 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401,412 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 150V 0.3A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 630 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-(TO-92) | KLS | 2N5401-(TO-92) 2N5401 PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-B | TO92 | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-DIO | Diotec | 2N5401-DIO 2N5401 PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-F | Rectron | Bipolar Transistors - BJT PNP 0.6A 150V Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT PNP 0.6A 150V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401-Y-IUTA | auf Bestellung 20500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5401-YTA_NL | FSC | 08+; | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401/2N5551 | FSC | 08+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401/5551 | ?? | 08+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401/RA | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N54012N5551 | FAIRCHILD | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401A | MOTOROLA | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401BU | 2N5401BU Диоды | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401BU | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401BU | ONS/FAI | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401CTA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401CYTA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401DIE2HR | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401NLBU | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RA | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 625mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RL1 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RL1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RLRA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 16000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RLRAG | ON | auf Bestellung 96740 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401RLRAG Produktcode: 94773
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5401RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RLRM | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401RLRMG | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401S-RTK/P | KEC | 09+ | auf Bestellung 153018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401SW | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401TA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401TF | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401YBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 27708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2N5401YBU | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 40...200 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401YBU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5401YBU | ONS/FAI | 2N5401YBU 2N5401-Y PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
